論文の概要: From Quantum Tsallis Entropy to Strange Metals

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2509.13362v1
• Date: Mon, 15 Sep 2025 14:49:05 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-09-18 18:41:50.560341
• Title: From Quantum Tsallis Entropy to Strange Metals
• Title（参考訳）: 量子タリスエントロピーから奇妙な金属へ
• Authors: Xian-Hui Ge,
• Abstract要約: 我々は、量子タリス統計と電子輸送を結合する統一的なフレームワークを開発する。 我々は磁気輸送を解析し、リニア・イン・フィールド磁気抵抗とアンダーソンの2寿命シナリオと一致するホール角を求める。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We develop a unified framework connecting quantum Tsallis statistics to electronic transport in strongly interacting systems. Starting from R\'enyi and Tsallis entropies, we construct a quantum Tsallis distribution that reduces to the conventional Fermi--Dirac distribution when $q=1$. For $q$ slightly deviating from unity, the correction term in the occupation function can be mapped to a $q$-deformed Schwarzian action, corresponding to soft reparametrization modes. Coupling these soft modes to electrons via the Fermi Golden Rule yields a modified scattering rate, which reproduces conventional Fermi-liquid behavior at low temperatures and linear-in-temperature resistivity at high temperatures. Using the memory matrix formalism, we analyze magnetotransport, finding a linear-in-field magnetoresistance and a Hall angle consistent with Anderson's two-lifetime scenario. At sufficiently low temperatures, both magnetoresistance and Hall response smoothly recover Fermi-liquid quadratic behaviors. This approach provides a controlled interpolation between Fermi-liquid and non-Fermi-liquid regimes, quantitatively linking $q$-deformation, soft-mode dynamics, and experimentally measurable transport coefficients in strange metals.
• Abstract（参考訳）: 我々は、強い相互作用を持つシステムにおいて、量子タリス統計と電子輸送を結合する統一的なフレームワークを開発する。 R\'enyi と Tsallis のエントロピーから始め、$q=1$ のとき、従来のフェルミ-ディラック分布に還元する量子ツァリス分布を構築する。 ユニティからわずかに逸脱する$q$の場合、占有関数の補正項は、ソフトな再パラメータ化モードに対応する$q$変形シュワルツ作用にマッピングできる。 これらの軟質モードをフェルミ・ゴールデン・ルール(英語版)を介して電子に結合すると、従来のフェルミ液の挙動を低温で再現し、高温でリニア・イン・温度比抵抗を再現する散乱速度が変化する。 メモリマトリクスの定式化を用いて、磁気輸送を解析し、リニア・イン・フィールド磁気抵抗とアンダーソンの2寿命シナリオと一致するホール角を求める。 十分な低温下では、磁気抵抗とホール応答の両方がフェルミ液2次挙動を滑らかに回復する。 このアプローチは、フェルミ-液体と非フェルミ-液体間の制御された補間を提供し、$q$デフォルム、ソフトモードダイナミクス、および奇妙な金属中の実験的に測定可能な輸送係数を定量的にリンクする。

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