論文の概要: Characterization of Inner Control Electrode Shapes for Multi-Layer Surface-Electrode Ion Traps
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.00348v1
- Date: Fri, 27 Feb 2026 22:27:55 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-03-03 19:50:56.149967
- Title: Characterization of Inner Control Electrode Shapes for Multi-Layer Surface-Electrode Ion Traps
- Title（参考訳）: 多層表面電極形イオントラップの内部制御電極形状のキャラクタリゼーション
- Authors: Florian Ungerechts, Brigitte Kaune, Christian Ospelkaus,
- Abstract要約: マイクロファブリック表面電極トラップは、トラップイオン量子プロセッサのためのスケーラブルなプラットフォームである。
多層表面トラップにおける軸方向と半径方向の同時制御のための非対称内部制御電極の解析を行った。
内部電極のみの使用による制御電圧効率の向上により、デバイス全体の直流(DC)供給はCryo-CMOS集積回路で提供される。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Microfabricated surface-electrode traps are a scalable platform for trapped-ion quantum processors. Recent advances in fabrication techniques have enabled the design of increasingly complex multi-layer structures. Yet the control electrodes remain mostly unchanged and of rectangular shape. We systematically analyze asymmetric inner control electrode shapes for simultaneous axial and radial control in multi-layer surface traps, characterize and compare a selection of different shapes, and verify their capabilities in realistic use-case scenarios for ion transport and micromotion compensation. Eliminating the need for the commonly used additional outer control electrodes, asymmetric inner control electrodes increase the compactness and space efficiency of surface-electrode traps while concurrently reducing the number of control signals. The improved control voltage efficiency of using solely inner electrodes enables the device's entire direct-current (DC) supply to be provided by integrated Cryo-CMOS circuits, further enhancing the scalability of the processor.
- Abstract（参考訳）: マイクロファブリック表面電極トラップは、トラップイオン量子プロセッサのためのスケーラブルなプラットフォームである。
近年の製造技術の進歩により、ますます複雑な多層構造の設計が可能になった。
しかし、制御電極はほとんど変わらず、長方形である。
多層表面トラップにおける非対称内部制御電極形状と放射状制御の同時解析を体系的に行い、異なる形状の選択を特徴付け比較し、イオン輸送とマイクロモーション補償の現実的なシナリオでそれらの能力を検証した。
一般的に使用される外部制御電極の必要性を排除し、非対称な内部制御電極は、制御信号の数を同時に減少させながら、表面電極トラップのコンパクト性と空間効率を高める。
内部電極のみの使用による制御電圧効率の向上により、Cryo-CMOS集積回路による直流直流(DC)電源全体の供給が可能となり、プロセッサのスケーラビリティがさらに向上する。
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