論文の概要: Quantized Transport in Floquet Topological Insulators
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.13066v1
- Date: Wed, 13 May 2026 06:39:56 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-05-14 23:30:27.849046
- Title: Quantized Transport in Floquet Topological Insulators
- Title（参考訳）: フロケットトポロジカル絶縁体における量子輸送
- Authors: Rekha Kumari, Manas Kulkarni, Abhishek Dhar,
- Abstract要約: 静的フェルミオン貯留層に結合した周期駆動型(フロケ)トポロジカルシステムにおける量子輸送について検討した。
二つの終端(縦方向)のコンダクタンスを$|W_varepsilon|,e2/h$、ホール(横方向)のコンダクタンスを$W_varepsilon,e2/h$とする。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We study quantum transport in a periodically driven (Floquet) topological system coupled to static fermionic reservoirs. Using the Floquet nonequilibrium Green's-function (NEGF) formalism we show, from exact numerics for a strip geometry, that the two-terminal (longitudinal) conductance is quantized as $|W_{\varepsilon}|\,e^2/h$, while the Hall (transverse) conductance is quantized as $W_{\varepsilon}\,e^2/h$, where $W_{\varepsilon}$ is the Floquet winding invariant associated with the quasienergy gap at $\varepsilon = 0$ or $\varepsilon = Ω/2$. Quantization is achieved only after summing over the contribution of all Floquet sidebands. We provide an analytic understanding of this Floquet conductance sum rule, by considering the Hall conductance in the weak coupling limit. In that limit, we show that the Floquet Hall conductance gets contributions from the Floquet sidebands, which includes the signs of the velocities of the edge modes. Their sum yields exact quantization, as predicted by the Floquet sum rule. We find that in a wide range of parameter regime, the convergence is fast, making observation of the sum rule and Floquet winding numbers accessible to experiments.
- Abstract（参考訳）: 静的フェルミオン貯留層に結合した周期駆動型(フロケ)トポロジカルシステムにおける量子輸送について検討した。
Floquet nonequilibrium Green's-function (NEGF) フォーマリズムを用いて、ストリップ幾何学の正確な数値から、2末端(縦方向)のコンダクタンスを$|W_{\varepsilon}|\,e^2/h$、ホール(横方向)のコンダクタンスを$W_{\varepsilon}\,e^2/h$と量子化する。
量子化はFloquetのすべてのサイドバンドの寄与を和った後にのみ達成される。
弱結合限界におけるホールコンダクタンスを考慮したこのフロケコンダクタンス和則の解析的理解を提供する。
この限界において、フロッケホールコンダクタンスは、エッジモードの速度の兆候を含むフロッケサイドバンドからコンダクタンスを得ることを示す。
それらの和は、フロケ和則によって予測されるように、正確な量子化をもたらす。
幅広いパラメータ系において、収束は高速であり、和則とフロケ巻数を見極めることができる。
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