論文の概要: Strain-free, symmetrical, InGaAs quantum dots as single photon emitters in the telecomC-band

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.17332v1
• Date: Sun, 17 May 2026 08:50:25 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-05-19 23:51:08.361874
• Title: Strain-free, symmetrical, InGaAs quantum dots as single photon emitters in the telecomC-band
• Title（参考訳）: テレコムCバンドにおける単一光子放射体としてのストレインフリー、対称、InGaAs量子ドット
• Authors: Rabbia Tahir, Paweł Wyborski, Artur Tuktamyshev, Stefano Vichi, Richard Nötzel, Battulga Munkhbat, Stefano Sanguinetti,
• Abstract要約: 古典的でない光子源は、低損失で長距離のフォトニック量子通信ネットワークにとって重要な要素である。 GaAs(111)A基板上に成長した歪のないIn$_0.7$Ga$_0.3$As QDsを1550nm窓の単光子エミッタとして作製した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Non-classical photon sources made of semiconductor quantum dots (QDs) emitting in the telecommunication C-band are crucial components for low-loss, long-distance photonic quantum communication networks. Here we designed and fabricated strain--free In$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As QDs grown on GaAs(111)A substrates working as single-photon emitters in the 1550 nm window. The QDs were grown via local droplet etching method in a molecular beam epitaxy environment, employing a thin In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic buffer layer with the same lattice constant of the QD material, thus allowing for a completely strain--free self-assembly of the QDs. The QDs exhibit a C$_{3v}$ symmetry with a ground state emission in the 1400--1600 nm range. The exciton lifetimes of $\approx$ 1.3--1.9 ns and linewidths as low as $\approx$ 300 $μ$eV show the good quality of the fabricated QDs. Second-order autocorrelation measurements under pulsed excitation confirmed the single-photon purity of the emitters, yielding a $g^{(2)}(0)$ value of $0.141 \pm 0.027$
• Abstract（参考訳）: 半導体量子ドット(QD)からなる非古典的な光子源は、低損失で長距離のフォトニック量子通信ネットワークにおいて重要な要素である。 ここでは、1550nm窓の単光子エミッタとして機能するGaAs(111)A基板上に成長したIn$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$AsQDを設計・製造した。 QDは分子線エピタキシー環境下で局所液滴エッチング法により成長し、QD材料の同じ格子定数を持つ薄いIn$_{0.7}$Al$_{0.3}$As変成緩衝層を用い、QDの完全ひずみのない自己集合を可能にする。 QDs は 1400-1600 nm の範囲で基底状態の放出を持つ C$_{3v}$対称性を示す。エキシトン寿命は $\approx$ 1.3--1.9 ns で、線幅は $\approx$ 300 $μ$eV である。 パルス励起による2次自己相関測定により、エミッタの単一光子純度が確認され、$g^{(2)}(0)$が0.141 \pm 0.027$となる。

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