論文の概要: Individually tunable Si/SiGe quantum dot operating voltages via gate-biased illumination

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2606.00446v1
• Date: Sat, 30 May 2026 00:34:20 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-06-02 21:34:28.461847
• Title: Individually tunable Si/SiGe quantum dot operating voltages via gate-biased illumination
• Title（参考訳）: ゲートバイアス照明による個別可変Si/SiGe量子ドット動作電圧
• Abstract要約: 酸化物-半導体界面におけるナノスケール捕捉電荷分布を制御可能かつ反復的に変化させる方法を提案する。 本手法をSi/SiGe量子ドットデバイス上で実証した結果,動作電圧を制御し,より均一にすることができることがわかった。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Semiconductor quantum dot qubits often require very different voltages on each gate to bring them to a correct operating point. Here, we present a method by which one can controllably and repeatably alter the nanoscale trapped charge distribution at an oxide-semiconductor interface. We demonstrate this method on a Si/SiGe quantum dot device, and we find that the operating voltages can be controlled and made much more uniform. The method relies on illumination with near-infrared light in the presence of applied gate voltages, and it enables the tuning of the device operating point on a gate-by-gate basis. We present an explanation of the underlying physics using self-consistent Schrödinger-Poisson simulations. As an application of this method, we tune a triple quantum dot to have uniform and small operating voltages in the (1,1,1) charge configuration. Importantly, we show that shifting the operating voltages in this way does not change the measured charge noise.
• Abstract（参考訳）: 半導体量子ドット量子ビットは、正しい動作点に導くために、各ゲートに全く異なる電圧を必要とすることが多い。 本稿では,酸化物-半導体界面におけるナノスケールの捕捉電荷分布を制御可能かつ反復的に変化させる手法を提案する。 本手法をSi/SiGe量子ドットデバイス上で実証した結果,動作電圧を制御し,より均一にすることができることがわかった。 この方法は、印加ゲート電圧の存在下で近赤外光による照明に依存し、ゲートバイゲートベースでデバイス動作点のチューニングを可能にする。 自己整合性シュレーディンガー・ポアソンシミュレーションを用いて基礎となる物理を説明する。 本手法の適用例として、(1,1,1)電荷配置において、均一かつ小さな動作電圧を持つ3つの量子ドットをチューニングする。 重要なことは、この方法で動作電圧をシフトしても、測定された電荷ノイズは変化しないことを示している。

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