Fugu-MT 論文翻訳(概要): Goos-H\"anchen Shifts in Gapped Graphene subject to External Fields

論文の概要: Goos-H\"anchen Shifts in Gapped Graphene subject to External Fields

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.16707v1
Date: Tue, 30 Jun 2020 12:00:13 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-12 01:25:49.368462
Title: Goos-H\"anchen Shifts in Gapped Graphene subject to External Fields
Title（参考訳）: 外部場を受けるガッピンググラフェンのgoos-h\"anchenシフト
Authors: Miloud Mekkaoui, Ahmed Jellal, Hocine Bahlouli
Abstract要約: 磁場と電位障壁を時間的に調和させて, ギャップ状グラフェン中のディラックフェルミオンについて検討した。ギャップ内のトンネルモードとそれに伴うグース・H・アンチェンシフトを解析的に検討した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We study Dirac fermions in gapped graphene that are subjected to a magnetic field and a potential barrier harmonically oscillating in time. The tunneling modes inside the gap and the associated Goos-H\"anchen (GH) shifts are analytically investigated. We show that the GH shifts in transmission for the central band and the first two sidebands change sign at the Dirac points $\epsilon+l\hbar\tilde{\omega}$ $(l=0,\pm 1)$. We also find that the GH shifts can be either negative or positive and becomes zero at transmission resonances.
Abstract（参考訳）: 磁場と電位障壁が時間的に調和して振動するグラフェンのダイラックフェルミオンについて検討した。ギャップ内のトンネルモードと関連するgoos-h\"anchen (gh)シフトを解析的に検討した。中央バンドの伝送速度はghシフトし、最初の2つのサイドバンドはディラック点 $\epsilon+l\hbar\tilde{\omega}$(l=0,\pm 1)$ で符号を変える。また、GHシフトは負か正かのいずれかであり、伝送共鳴ではゼロになる。

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