論文の概要: Engineering AlGaAs-on-insulator towards quantum optical applications
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2008.11531v2
- Date: Tue, 13 Oct 2020 14:58:37 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-04 21:50:20.314951
- Title: Engineering AlGaAs-on-insulator towards quantum optical applications
- Title（参考訳）: 量子光学応用に向けたAlGaAs-on-insulatorの工学
- Authors: Marlon Placke and Sven Ramelow
- Abstract要約: ヒ化ガリウムは、集積パラメトリック光学相互作用に非常に好ましい性質を持つ。
我々は、最先端の量子光学光源を改善することができる2階と3階のペア生成を提案する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Aluminum gallium arsenide has highly desirable properties for integrated
parametric optical interactions: large material nonlinearities, maturely
established nanoscopic structuring through epitaxial growth and lithography,
and a large band gap for broadband low-loss operation. However, its full
potential for record-strength nonlinear interactions is only released when the
semiconductor is embedded within a dielectric cladding to produce highly
confining waveguides. From simulations of such, we present second and third
order pair generation that could improve upon state-of-the-art quantum optical
sources and make novel regimes of strong parametric photon-photon
nonlinearities accessible.
- Abstract（参考訳）: ヒ素アルミニウムは、大きな材料非線形性、エピタキシャル成長とリソグラフィによる成熟したナノ構造、広帯域低損失操作のためのバンドギャップなど、統合パラメトリック光学相互作用において非常に望ましい特性を有する。
しかし、記録-強度非線形相互作用の完全なポテンシャルは、半導体が誘電体クラッドに埋め込まれて高精細な導波路を生成するときにのみ解放される。
このようなシミュレーションから、最先端の量子光学光源を改善し、強力なパラメトリック光子-光子非線形性の新規な状態を実現する2階と3階のペア生成を提案する。
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