論文の概要: The quaternionic Goos-Haenchen shift
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2010.00460v1
- Date: Thu, 1 Oct 2020 14:53:19 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-30 11:57:40.668957
- Title: The quaternionic Goos-Haenchen shift
- Title（参考訳）: 四元イオングース-ヘンチェンシフト
- Authors: Stefano De Leo, Gisele C. Ducati
- Abstract要約: 複素四元数と純四元数の場合の屈折率を導入する。
臨界点(トータル反射)よりも大きい入射の場合、四元イオン電位は複雑な場合の側方変位を増幅する。
四価イオンの側方変位に見いだされた解析公式は、複素数と四価イオンのグース-ヘンチェンシフトの間の定量的および定性的な差異を観察する可能性を与える。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate the lateral displacement of electronic waves when partially
and totally reflected by a quaternionic potential. Following the analogy
between Quantum Mechanics and Optics we introduce a refractive index for the
complex and the pure quaternionic case. For incidence greater than the critical
one (total reflection) the quaternionic potentials amplify the lateral
displacement found in the complex case. For incidence below the critical angle,
we find, in the quaternionic case, an additional shift. The analytical formula
found for the quaternionic lateral displacement gives the possibility to
observe quantitative and qualitative differences between the complex and
quaternionic Goos-Haenchen shift.
- Abstract（参考訳）: 準イオンポテンシャルによって部分的に完全に反射された場合, 電子波の側方変位について検討する。
量子力学と光学の類似に続いて、複素数と純四元数の場合の屈折率を導入する。
臨界点(トータル反射)よりも大きい入射の場合、四元イオン電位は複雑な場合の側方変位を増幅する。
臨界角以下の入射の場合、四元数の場合、追加のシフトがある。
四価イオンの側方変位に見いだされた解析公式は、複素数と四価イオンのグース-ヘンチェンシフトの間の定量的および定性的な差異を観察する可能性を与える。
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