論文の概要: Hall conductance of a non-Hermitian two-band system with k-dependent decay rates

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2101.02393v2
• Date: Fri, 2 Apr 2021 12:39:58 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-17 11:07:14.867929
• Title: Hall conductance of a non-Hermitian two-band system with k-dependent decay rates
• Title（参考訳）: k依存減衰率をもつ非エルミート二バンド系のホールコンダクタンス
• Authors: Junjie Wang, Fude Li, and X. X. Yi
• Abstract要約: 我々は、この系を記述し、k-依存的崩壊率の特定の形式を与える有効な非エルミート・ハミルトニアンを導出する。 定数電場に対する非エルミート系の応答を計算する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 2.105031112138881
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Two-band model works well for Hall effect in topological insulators. It turns out to be non-Hermitian when the system is subjected to environments, and its topology characterized by Chern numbers has received extensive studies in the past decades. However, how a non-Hermitian system responses to an electric field and what is the connection of the response to the Chern number defined via the non-Hermitian Hamiltonian remain barely explored. In this paper, focusing on a k-dependent decay rate, we address this issue by studying the response of such a non-Hermitian Chern insulator to an external electric field. To this aim, we first derive an effective non-Hermitian Hamiltonian to describe the system and give a specific form of k-dependent decay rate. Then we calculate the response of the non-Hermitian system to a constant electric field. We observe that the environment leads the Hall conductance to be a weighted integration of curvature of the ground band and hence the conductance is no longer quantized in general. And the environment induces a delay in the response of the system to the electric field. A discussion on the validity of the non-Hermitian model compared with the master equation description is also presented.
• Abstract（参考訳）: 2バンドモデルは位相絶縁体におけるホール効果に対してよく機能する。 この系が環境に従属する場合、非エルミート的であることが判明し、チャーン数によって特徴づけられるトポロジーは過去数十年にわたって広範囲に研究されてきた。 しかし、非エルミート系が電場に対してどのように反応し、非エルミートハミルトニアンによって定義されるチャーン数に対する応答の関連性は依然としてほとんど調査されていない。 本稿では,k依存性減衰率に着目し,そのような非エルミートチャーン絶縁体の外部電界に対する応答を研究することにより,この問題に対処する。 この目的のために、まず、システムを記述するための有効な非エルミートハミルトニアンを導出し、k-依存的減衰率の特定の形を与える。 次に、非エルミート系の一定電界に対する応答を計算する。 環境がホールコンダクタンスを地上バンドの曲率の重み付け積分に導くので、コンダクタンスは一般には量子化されない。 そして、環境は、電場に対するシステムの応答の遅延を誘導する。 また,マスター方程式記述と比較して,非エルミートモデルの有効性について考察した。

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