論文の概要: Comment on 'Design and circuit simulation of nanoscale vacuum channel
transistors' by J. Xu, Y. Qin, Y. Shi, Y. Yang and X. Zhang, Nanoscale Adv.
2020, 2, 3582
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.11453v1
- Date: Tue, 23 Feb 2021 01:55:00 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-10 03:47:58.747482
- Title: Comment on 'Design and circuit simulation of nanoscale vacuum channel
transistors' by J. Xu, Y. Qin, Y. Shi, Y. Yang and X. Zhang, Nanoscale Adv.
2020, 2, 3582
- Title(参考訳): j. xu, y. qin, y. shi, y. yang, x. zhang, nanoscale advによる「ナノスケール真空チャネルトランジスタの設計と回路シミュレーション」へのコメント
2020, 2, 3582
- Authors: Richard G. Forbes
- Abstract要約: コメントは、ナノスケール真空チャネルトランジスタに関する最近の論文で示された電界電子放出理論のいくつかの明らかな弱点を修正することを目的としている。
この式は、大きな要因によって放出電流密度を過小評価することが知られているため、論文で述べた「単純化された」公式は使用すべきではないと論じられている。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: These comments aim to correct some apparent weaknesses in the theory of field
electron emission given in a recent paper about nanoscale vacuum channel
transistors, and to improve the presentation of this theory. In particular, it
is argued that a "simplified" formula stated in the paper should not be used,
because this formula is known to under-predict emission current densities by a
large factor (typically around 300 for an emitting surface with local work
function 4.5 eV). Thus, the "simplified" formula may significantly
under-predict the practical performance of a nanoscale vacuum channel
transistor.
- Abstract(参考訳): これらのコメントは、ナノスケール真空チャネルトランジスタに関する最近の論文で示された電界電子放出理論の明らかな弱点を修正し、この理論の提示を改善することを目的としている。
特に、この式は大きな因子(典型的には局所作業関数4.5eVの発光面に対して300前後)によって放出電流密度を過小評価することが知られているので、論文で述べた「単純化された」公式は使用すべきではないと論じられている。
したがって、「単純化された」公式はナノスケール真空チャネルトランジスタの実用性能を著しく過小評価することができる。
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