Fugu-MT 論文翻訳(概要): Optical Direct Write of Dolan--Niemeyer-Bridge Junctions for Transmon Qubits

論文の概要: Optical Direct Write of Dolan--Niemeyer-Bridge Junctions for Transmon Qubits

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.09034v2
Date: Mon, 9 Aug 2021 20:06:24 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-26 12:58:47.624330
Title: Optical Direct Write of Dolan--Niemeyer-Bridge Junctions for Transmon Qubits
Title（参考訳）: トランスモン量子ビット用dolan-niemeyer-bridge接合の光直接書き込み
Authors: J. T. Monroe, D. Kowsari, K. Zheng, C. Gaikwad, J. Brewster, D. S. Wisbey, and K. W. Murch
Abstract要約: 直筆フォトリソグラフィシステムで作製した高コヒーレントなトランスモン量子ビットを特徴付ける。ジョセフソン接合リソグラフィ領域が2$mumathrmm2$の3次元トランモン量子ビットに対して80 mu$sを超えるエネルギー緩和時間を達成する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We characterize highly coherent transmon qubits fabricated with a direct-write photolithography system. Multi-layer evaporation and oxidation allows us to change the critical current density by reducing the effective tunneling area and increasing the barrier thickness. Surface treatments before resist application and again before evaporation result in high coherence devices. With optimized surface treatments we achieve energy relaxation $T_1$ times in excess of $80\ \mu$s for three dimensional transmon qubits with Josephson junction lithographic areas of 2 $\mu\mathrm{m}^2$.
Abstract（参考訳）: 直筆フォトリソグラフィシステムで作製した高コヒーレントなトランスモン量子ビットを特徴付ける。多層蒸発・酸化により,有効トンネル面積の低減とバリア厚の増大により臨界電流密度を変化させることが可能となる。適用前の表面処理と蒸発前の再処理は、高いコヒーレンスデバイスとなる。最適化された表面処理により、ジョセフソン接合リソグラフィ領域が2$\mu\mathrm{m}^2$の3次元トランモン量子ビットに対して80\ \mu$sを超えるエネルギー緩和が達成される。

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