論文の概要: Realization of a transition between type-I and type-II Dirac semimetals in monolayers

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2108.07398v1
• Date: Tue, 17 Aug 2021 01:55:45 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-18 05:37:15.628847
• Title: Realization of a transition between type-I and type-II Dirac semimetals in monolayers
• Title（参考訳）: 単分子膜におけるi型とii型ジラックの遷移
• Authors: Yuee Xie, Yujiao Kang, Xiaohong Yan and Yuanping Chen
• Abstract要約: タイプIとタイプIIのディラック半金属間の遷移は、一連の重要な物理的性質を明らかにする。 現在までの遷移を実現するためのメカニズムや材料は提案されていない。 この遷移は、ジグザグ鎖からなる2次元(2次元)材料で、外部ひずみを調整して実現可能である。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.6117371161379208
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The phase transition between type-I and type-II Dirac semimetals will reveal a series of significant physical properties because of their completely distinct electronic, optical and magnetic properties. However, no mechanism and materials have been proposed to realize the transition to date. Here, we propose that the transition can be realized in two-dimensional (2D) materials consisting of zigzag chains, by tuning external strains. The origination of the transition is that some orbital interactions in zigzag chains vary drastically with structural deformation, which changes dispersions of the corresponding bands. Two 2D nanosheets, monolayer PN and AsN, are searched out to confirm the mechanism by using first-principles calculations. They are intrinsic type-I or type-II Dirac materials, and transit to another type of Dirac materials by external strains. In addition, a possible routine is proposed to synthesize the new 2D structures.
• Abstract（参考訳）: タイプIとタイプIIのディラック半金属間の相転移は、完全に電子的、光学的、磁気的性質が異なるため、一連の重要な物理的性質を示す。 しかし、現在までの遷移を実現するためのメカニズムや材料は提案されていない。 本稿では,ジグザグ鎖からなる二次元(2次元)材料において,外部ひずみの調整により遷移を実現することを提案する。 遷移の起源は、ジグザグ鎖の軌道相互作用が構造的変形と大きく異なり、対応するバンドの分散が変化することである。 2次元ナノシートである単層pnとasnを探索し、第一原理計算を用いて機構を確認する。 内在的なタイプIまたはタイプIIのディラック材料であり、外部ひずみにより他のタイプのディラック材料に転移する。 さらに,新しい2次元構造を合成するためのルーチンも提案されている。

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