論文の概要: Simulations of hybrid charge-sensing single-electron-transistors and CMOS circuits

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2108.10467v1
• Date: Tue, 24 Aug 2021 01:31:07 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-17 07:52:42.230327
• Title: Simulations of hybrid charge-sensing single-electron-transistors and CMOS circuits
• Title（参考訳）: ハイブリッド電荷センサ単電子トランジスタとCMOS回路のシミュレーション
• Authors: Tetsufumi Tanamoto and Keiji Ono
• Abstract要約: 単一電子トランジスタ(SET)は、量子計算など多くの分野で電荷センサとして広く使われている。 一般に、SETの信号は相補的金属酸化物半導体(CMOS)デバイスよりも小さい。 理論的には、SETの1つが参照として使用されるような、一対のSETの増幅を考える。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Single-electron transistors (SETs) have been extensively used as charge sensors in many areas such as quantum computations. In general, the signals of SETs are smaller than those of complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) devices, and many amplifying circuits are required to enlarge these signals. Instead of amplifying a single small output, we theoretically consider the amplification of pairs of SETs, such that one of the SETs is used as a reference. We simulate the two-stage amplification process of SETs and CMOS devices using a conventional SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) circuit simulator. Implementing the pairs of SETs into CMOS circuits makes the integration of SETs more feasible because of direct signal transfer from the SET to the CMOS circuits.
• Abstract（参考訳）: 単一電子トランジスタ(SET)は、量子計算など多くの分野で電荷センサとして広く使われている。 一般に、SETの信号は相補的金属酸化物半導体(CMOS)デバイスよりも小さく、増幅回路の多くはこれらの信号を拡大するために必要である。 1つの小さな出力を増幅する代わりに、理論上はSETの1つが参照として使用されるようなペアのSETの増幅を考える。 従来のSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)回路シミュレータを用いて,SETとCMOSデバイスの2段階増幅過程をシミュレートする。 CMOS回路へのSETのペア実装により、SETからCMOS回路への直接信号転送により、SETの統合がより実現可能となる。

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