論文の概要: Two-photon absorption in semiconductors: a multi-band length-gauge analysis

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2208.08143v1
• Date: Wed, 17 Aug 2022 08:21:30 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-30 20:29:43.930221
• Title: Two-photon absorption in semiconductors: a multi-band length-gauge analysis
• Title（参考訳）: 半導体中の2光子吸収:マルチバンド長ゲージ解析
• Authors: W.-R. Hannes and M. F. Ciappina
• Abstract要約: 汎用マルチバンドモデルは、より複雑な表現を必要としないことを示す。 ポンププローブによる2光子励起に焦点をあてる。 この理論は、強結合モデルによって記述されたグラフェンとその二層体、およびk.p理論によって記述されたバルク亜鉛半導体に適用することで検証される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The simplest approach to deal with light excitations in direct-gap semiconductors is to model them as a two-band system: one conduction and one valence band. For such models, particularly simple analytical expressions are known to exist for the optical response such as multi-photon absorption coefficients. Here we show that generic multi-band models do not require much more complicated expressions. Our length-gauge analysis is based on the semiconductors Bloch equations in the absence of all scattering processes. In the evaluation, we focus on two-photon excitation by a pump-probe scheme with possibly non-degenerate and arbitrarily polarized configurations. The theory is validated by application to graphene and its bilayer, described by a tight-binding model, as well as bulk Zincblende semiconductors described by k.p theory.
• Abstract（参考訳）: 直接ギャップ半導体における光励起を扱う最も単純なアプローチは、それらを2バンド系としてモデル化することである。 このようなモデルに対して、特に単純な解析式は多光子吸収係数のような光学応答に対して存在することが知られている。 ここでは、汎用マルチバンドモデルがより複雑な表現を必要としないことを示す。 長さゲージ解析は、すべての散乱過程が存在しない半導体ブロッホ方程式に基づいている。 評価では, ポンププローブ方式による2光子励起に焦点をあて, 非退化および任意偏光配置を行った。 この理論は、強結合モデルによって記述されたグラフェンとその二層体、およびk.p理論によって記述されたバルク亜鉛半導体に適用することで検証される。

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