論文の概要: A Compact Model of Interface-Type Memristors Linking Physical and Device Properties

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2210.01455v1
• Date: Tue, 4 Oct 2022 08:30:30 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2022-10-05 13:14:24.990609
• Title: A Compact Model of Interface-Type Memristors Linking Physical and Device Properties
• Title（参考訳）: 物理特性とデバイス特性をつなぐインタフェース型memristorのコンパクトモデル
• Authors: T. F. Tiotto, A. S. Goossens, A. E. Dima, C. Yakopcic, T. Banerjee, J. P. Borst, N. A. Taatgen
• Abstract要約: 我々は、インタフェース型メムリスタに関連する輸送方程式を含むことで、広く使われているヤコプシックコンパクトモデルに適応する。 本分析は, デバイスの特性パラメータとモデルとの直接的な相関関係を示す。 この研究の明確な応用の1つは、関連する旋律デバイスの設計と製造を通知する能力である。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Memristors are an electronic device whose resistance depends on the voltage history that has been applied to its two terminals. Despite its clear advantage as a computational element, a suitable transport model is lacking for the special class of interface-based memristors. Here, we adapt the widely-used Yakopcic compact model by including transport equations relevant to interface-type memristors. This model is able to reproduce the qualitative behaviour measured upon Nb-doped SrTiO$_3$ memristive devices. Our analysis demonstrates a direct correlation between the devices' characteristic parameters and those of our model. The model can clearly identify the charge transport mechanism in different resistive states thus facilitating evaluation of the relevant parameters pertaining to resistive switching in interface-based memristors. One clear application of our study is its ability to inform the design and fabrication of related memristive devices.
• Abstract（参考訳）: memristorは、抵抗が2つの端子に適用される電圧履歴に依存する電子機器である。 計算要素としての明らかな利点にもかかわらず、インタフェースベースのmemristorの特殊クラスには適切なトランスポートモデルが欠けている。 本稿では,インターフェース型memristorに関連するトランスポート方程式を含むことで,広く使われているyakopcic compactモデルを適用する。 このモデルはNbドープSrTiO$_3$メムリシティブデバイス上で測定された定性的挙動を再現することができる。 本分析は, デバイスの特性パラメータとモデルとの直接的な相関関係を示す。 このモデルは、異なる抵抗状態における電荷輸送機構を明確に識別することができ、インターフェースベースのmemristorの抵抗スイッチングに関連するパラメータの評価を容易にする。 この研究の明確な応用の1つは、関連するmemristiveデバイスの設計と製造を知らせる能力である。

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