Fugu-MT 論文翻訳(概要): VVTEAM: A Compact Behavioral Model for Volatile Memristors

論文の概要: VVTEAM: A Compact Behavioral Model for Volatile Memristors

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2409.17723v1
Date: Thu, 26 Sep 2024 10:52:04 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-09-28 20:20:41.302891
Title: VVTEAM: A Compact Behavioral Model for Volatile Memristors
Title（参考訳）: VVTEAM:揮発性メムリスタのコンパクトな挙動モデル
Authors: Tanay Patni, Rishona Daniels, Shahar Kvatinsky,
Abstract要約: 本稿では,V-VTEAM(V-VTEAM)を提案する。モデルの有効性を, イオンドリフト/拡散ベースAg/SiOx/C/W揮発性メムリスタに適合させ, 相対根平均誤差が4.5%に達することを実証した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.24578723416255754
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract: Volatile memristors have recently gained popularity as promising devices for neuromorphic circuits, capable of mimicking the leaky function of neurons and offering advantages over capacitor-based circuits in terms of power dissipation and area. Additionally, volatile memristors are useful as selector devices and for hardware security circuits such as physical unclonable functions. To facilitate the design and simulation of circuits, a compact behavioral model is essential. This paper proposes V-VTEAM, a compact, simple, general, and flexible behavioral model for volatile memristors, inspired by the VTEAM nonvolatile memristor model and developed in MATLAB. The validity of the model is demonstrated by fitting it to an ion drift/diffusion-based Ag/SiOx/C/W volatile memristor, achieving a relative root mean error square of 4.5%.
Abstract（参考訳）: 揮発性メムリスタは近年、ニューロンの漏れ機能を模倣し、消費電力と面積の点でコンデンサベースの回路よりも有利である、ニューロモルフィック回路の有望なデバイスとして人気を集めている。さらに、揮発性メムリスタはセレクタデバイスや物理的不閉機能などのハードウェアセキュリティ回路に有用である。回路の設計とシミュレーションを容易にするため、コンパクトな動作モデルが不可欠である。本稿では,VTEAM非揮発性メムリスタモデルに触発されてMATLABで開発された,コンパクトで汎用的で柔軟な揮発性メムリスタの挙動モデルであるV-VTEAMを提案する。モデルの有効性を, イオンドリフト/拡散ベースAg/SiOx/C/W揮発性メムリスタに適合させ, 相対根平均誤差が4.5%に達することを実証した。

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