Fugu-MT 論文翻訳(概要): Semimetallic and semiconducting graphene-hBN multilayers with parallel or reverse stacking

論文の概要: Semimetallic and semiconducting graphene-hBN multilayers with parallel or reverse stacking

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2210.16393v2
Date: Tue, 25 Apr 2023 12:49:25 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-27 03:46:41.706046
Title: Semimetallic and semiconducting graphene-hBN multilayers with parallel or reverse stacking
Title（参考訳）: 半金属および半伝導性グラフェン-hBN多層膜
Authors: Xi Chen, Klaus Zollner, Christian Moulsdale, Vladimir I. Fal'ko, Angelika Knothe
Abstract要約: 理論的には, 異なる対称性を持つ交互グラフェン層とhBN層の3次元層状結晶について検討した。以上の結果から, 個々の2次元材料から積み重ねた3次元結晶は, 成分とは異なる創発性を有する合成材料クラスであることがわかった。
参考スコア（独自算出の注目度）: 3.53163169498295
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We theoretically investigate 3D layered crystals of alternating graphene and hBN layers with different symmetries. Depending on the hopping parameters between the graphene layers, we find that these synthetic 3D materials can feature semimetallic, gapped, or Weyl semimetal phases. Our results demonstrate that 3D crystals stacked from individual 2D materials represent a synthetic materials class with emergent properties different from their constituents.
Abstract（参考訳）: 異なる対称性を有する交互グラフェンおよびhbn層の3次元層状結晶を理論的に検討した。グラフェン層間のホッピングパラメータによって、これらの合成3D材料は、半金属、ギャップ、またはワイル半金属相を特徴付けることができる。その結果, 個々の2次元材料から積み重ねられた3次元結晶は, 構成成分とは異なる創発性を有する合成材料クラスであることがわかった。

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