論文の概要: Random spin-orbit gates in the system of a Topological insulator and a Quantum dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2212.11026v1
• Date: Wed, 21 Dec 2022 14:06:16 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-09 05:44:22.496984
• Title: Random spin-orbit gates in the system of a Topological insulator and a Quantum dot
• Title（参考訳）: 位相絶縁体と量子ドットの系におけるランダムスピン軌道ゲート
• Authors: S. Wolski, M. Inglot, C. Jasiukiewicz, K. A. Kouzakov, T. Mas{\l}owski, T. Szczepa\'nski, S. Stagraczy\'nski, R. Stagraczy\'nski, V. K. Dugaev, and L. Chotorlishvili
• Abstract要約: トポロジカル絶縁体と量子ドットの系におけるスピン依存散乱過程について検討する。 システム内の絡み合いを定量化するために,コンカレンスとアンサンブル平均R'enyiエントロピーを探索した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The spin-dependent scattering process in a system of topological insulator and quantum dot is studied. The unitary scattering process is viewed as a gate transformation applied to an initial state of two electrons. Due to the randomness imposed through the impurities and alloying-induced effects of band parameters, the formalism of the random unitary gates is implemented. For quantifying entanglement in the system, we explored concurrence and ensemble-averaged R\'enyi entropy. We found that applied external magnetic field leads to long-range entanglement on the distances much larger than the confinement length. We showed that topological features of itinerant electrons sustain the formation of robust long-distance entanglement, which survives even in the presence of a strong disorder.
• Abstract（参考訳）: 位相絶縁体と量子ドットの系におけるスピン依存散乱過程を研究した。 ユニタリ散乱過程は、2つの電子の初期状態に適用されるゲート変換と見なされる。 不純物によるランダム性やバンドパラメータのアロイングによる影響により、ランダムなユニタリゲートの形式化が実現される。 システム内の絡み合いを定量化するために,コンカレンスとアンサンブル平均R'enyiエントロピーを探索した。 その結果, 外部磁場を印加すると, 閉じ込め長さよりも長い距離の長距離絡み合いが生じることがわかった。 その結果, 反復電子のトポロジカルな特徴は, 強い障害があっても生き残る頑丈な長距離絡み合いの形成を維持できることがわかった。

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