Fugu-MT 論文翻訳(概要): Violation of Diagonal Non-Invasiveness: A Hallmark of Quantum Memory Effects

論文の概要: Violation of Diagonal Non-Invasiveness: A Hallmark of Quantum Memory Effects

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2301.02500v1
Date: Fri, 6 Jan 2023 13:20:42 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-01-09 23:59:29.843748
Title: Violation of Diagonal Non-Invasiveness: A Hallmark of Quantum Memory Effects
Title（参考訳）: 対角的非侵襲性の侵害:量子記憶効果の要点
Authors: Adri\'an A. Budini
Abstract要約: 侵襲性とメモリ効果の存在を接続する操作的(計測に基づく)スキームを定義する。その基礎となる理論的基礎は、(記憶のない)マルコフ力学の非侵襲的可測性に依存する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: An operational (measurement based) scheme that connects in a univocal way measurement invasivity and the presence of memory effects is defined. Its underlying theoretical basis relies on a non-invasive measurability of (memoryless) Markovian dynamics when the corresponding observable is diagonal in the same basis as the system density matrix. In contrast, (operational defined) quantum memory effects always lead to violation of diagonal non-invasiveness. Related conditions for violation of Leggett-Garg inequality due to non-Markovian memory effects are also established.
Abstract（参考訳）: 慣性的な計測の浸透性と記憶効果の存在をつなぐ操作的(測定に基づく)スキームを定義する。その基礎となる理論的な基礎は、対応する可観測性が系密度行列と同じ基底で対角的であるとき(メモリレス)マルコフ力学の非侵襲的可測性に依存する。対照的に、(操作的に定義された)量子メモリ効果は、常に対角非侵襲性に違反する。非マルコフ記憶効果によるLeggett-Garg不等式違反の関連条件も確立した。

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