論文の概要: Micromotion compensation of trapped ions by qubit transition and direct scanning of dc voltages

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2306.05837v2
• Date: Sat, 2 Dec 2023 09:07:37 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-12-05 23:06:34.401886
• Title: Micromotion compensation of trapped ions by qubit transition and direct scanning of dc voltages
• Title（参考訳）: 量子ビット遷移による捕捉イオンのマイクロモーション補償と直流電圧の直接走査
• Authors: Woojun Lee, Daun Chung, Jiyong Kang, Honggi Jeon, Changhyun Jung, Dong-Il "Dan" Cho, Taehyun Kim
• Abstract要約: トラップイオンの過剰な微小移動を計測・抑制するための簡単なアプローチを提案する。 この方法は、実用的な量子コンピューティングアプリケーションに対して、適切なレベルの感度を提供する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 3.8758525789991896
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Excess micromotion is detrimental to accurate qubit control of trapped ions, thus measuring and minimizing it is crucial. In this paper, we present a simple approach for measuring and suppressing excess micromotion of trapped ions by leveraging the existing laser-driven qubit transition scheme combined with direct scanning of dc voltages. The compensation voltage is deduced by analyzing the Bessel expansion of a scanned qubit transition rate. The method provides a fair level of sensitivity for practical quantum computing applications, while demanding minimal deviation of trap condition. By accomplishing compensation of excess micromotion in the qubit momentum-excitation direction, the scheme offers an additional avenue for excess micromotion compensation, complementing existing compensation schemes.
• Abstract（参考訳）: マイクロモーションは捕捉されたイオンの正確な量子ビット制御に有害であるため、測定と最小化が重要である。 本稿では,既存のレーザ駆動量子ビット遷移スキームと直流電圧の直接走査を組み合わせることで,捕捉イオンの過大なマイクロモーションを簡易に測定・抑制する手法を提案する。 走査された量子ビット遷移率のベッセル膨張を分析して補償電圧を推定する。 この手法は、トラップ条件の最小偏差を要求しながら、実用的な量子コンピューティングアプリケーションに対して十分な感度を提供する。 クビット運動量励起方向における過大なマイクロモーションの補償を達成することで、既存の補償スキームを補完する過剰なマイクロモーション補償のための追加の道を提供する。

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