論文の概要: Valley splitting depending on the size and location of a silicon quantum dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.17393v1
• Date: Thu, 26 Oct 2023 13:44:01 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-10-27 20:19:42.946908
• Title: Valley splitting depending on the size and location of a silicon quantum dot
• Title（参考訳）: シリコン量子ドットの大きさと位置による谷の分割
• Authors: Jonas R. F. Lima and Guido Burkard
• Abstract要約: シリコン量子ドットのバレー分割は、シリコンスピン量子ビットの性能とスケーラビリティに重要な役割を果たす。 シリコン量子ドットのサイズと位置の関数としてのSiGe/Si/SiGeヘテロ構造のVSについて検討する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: The valley splitting (VS) of a silicon quantum dot plays an important role for the performance and scalability of silicon spin qubits. In this work we investigate the VS of a SiGe/Si/SiGe heterostructure as a function of the size and location of the silicon quantum dot. We use the effective mass approach to describe a realistic system, which takes into account concentration fluctuations at the Si/SiGe interfaces and also the interface roughness. We predict that the size of the quantum dot is an important parameter for the enhancement of the VS and it can also induce a transition between the disorder-dominated to deterministic-enhanced regimes. Analyzing how the VS changes when we move the quantum dot in a specific direction, we obtain that the size of the quantum dot can be used to reduce the variability of the VS, which is relevant for charge/spin shuttling.
• Abstract（参考訳）: シリコン量子ドットの谷分割(vs)は、シリコンスピン量子ビットの性能と拡張性において重要な役割を果たす。 本研究では,SiGe/Si/SiGeヘテロ構造のVSを,シリコン量子ドットのサイズと位置の関数として検討する。 我々は,Si/SiGe界面の濃度変動と界面粗さを考慮に入れた現実的なシステムを記述するために,実効質量法を用いる。 我々は、量子ドットの大きさはvsの強化にとって重要なパラメータであり、乱れが支配的から決定論的に強化された領域間の遷移をも引き起こすことができると予測する。 量子ドットを特定の方向に移動するとVSがどう変化するかを分析すると、電荷/スピンシャットリングに関連するVSのばらつきを低減するために量子ドットのサイズを使うことができる。

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