論文の概要: Side-gate modulation of supercurrent in InSb nanoflag-based Josephson junctions
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2410.14469v1
- Date: Fri, 18 Oct 2024 13:54:43 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-10-21 14:24:00.733441
- Title: Side-gate modulation of supercurrent in InSb nanoflag-based Josephson junctions
- Title（参考訳）: InSbナノフラッグ系ジョセフソン接合における超電流のサイドゲート変調
- Authors: Bianca Turini, Sedighe Salimian, Matteo Carrega, Federico Paolucci, Valentina Zannier, Lucia Sorba, Stefan Heun,
- Abstract要約: InSbナノフラッグを用いたジョセフソン接合の接合部近傍にサイドゲートを配置した実験結果について報告する。
サイドゲートは、消散系と消散系の両方において、ジャンクションを介して効率よく電流を変調できることを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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- Abstract: InSb nanoflags, due to their intrinsic spin-orbit interactions, are an interesting platform in the study of planar Josephson junctions. Ballistic transport, combined with high transparency of the superconductor/semiconductor interfaces, was reported to lead to interesting phenomena such as the Josephson diode effect. The versatility offered by the planar geometry can be exploited to manipulate both carrier concentration and spin-orbit strength by electrical means. Here we present experimental results on InSb nanoflag-based Josephson junctions fabricated with side-gates placed in close proximity to the junction. We show that side-gates can efficiently modulate the current through the junction, both in the dissipative and in the dissipation-less regimes, similarly to what obtained with a conventional back-gate. Furthermore, the side-gates can be used to influence the Fraunhofer interference pattern induced by the presence of an external out-of-plane magnetic field.
- Abstract（参考訳）: InSbナノフラッグは、固有のスピン軌道相互作用のため、平面ジョセフソン接合の研究において興味深いプラットフォームである。
導電性輸送は超伝導体/半導体界面の高透明性と組み合わされ、ジョセフソンダイオード効果のような興味深い現象を引き起こすことが報告された。
平面幾何学によって提供される汎用性は、電気的手段によってキャリア濃度とスピン軌道強度の両方を操作するために利用することができる。
ここでは,InSbナノフラッグを用いたジョセフソン接合の接合部近傍にサイドゲートを配置した実験結果について述べる。
側ゲートは, 従来のバックゲートと同様に, 消散状態と消散状態の両方において, ジャンクションを通した電流を効率的に変調できることを示す。
さらに、サイドゲートは外面外磁場の存在によって引き起こされるフラウンホーファー干渉パターンに影響を与えることができる。
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