論文の概要: Designer gapped and tilted Dirac cones in lateral graphene superlattices

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.19226v1
• Date: Thu, 28 Nov 2024 15:51:58 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2024-12-02 15:18:53.049260
• Title: Designer gapped and tilted Dirac cones in lateral graphene superlattices
• Title（参考訳）: 側方グラフェン超格子におけるデザイナギャップと傾斜ディラック円錐
• Authors: A. Wild, R. R. Hartmann, E. Mariani, M. E. Portnoi,
• Abstract要約: グラフェン中の平面型バイポーラ導波路は電子バンド構造内のギャップと傾斜した2次元ディラック円錐の工学に利用できることを示す。 本論文は,側方グラフェン超格子におけるゲート可変デバイス応用におけるディラックコーンの傾きとギャップ工学の促進を期待する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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• Abstract: We show that a planar array of bipolar waveguides in graphene can be used to engineer gapped and tilted two-dimensional Dirac cones within the electronic band structure. The presence of these gapped and tilted Dirac cones is demonstrated through a superlattice tight-binding model and verified using a transfer matrix calculation. By varying the applied gate voltages, the tilt parameter of these Dirac cones can be controlled and their gaps can be tuned to fall in the terahertz range. The possibility of gate-tunable gapped Dirac cones gives rise to terahertz applications via interband transitions and designer Landau level spectra both of which can be controlled via Dirac cone engineering. We anticipate that our paper will encourage Dirac cone tilt and gap engineering for gate-tunable device applications in lateral graphene superlattices.
• Abstract（参考訳）: グラフェン中の平面型バイポーラ導波路は電子バンド構造内のギャップと傾斜した2次元ディラック錐体の設計に利用できることを示す。 これらのギャップと傾斜したディラック円錐の存在は、超格子強結合モデルを用いて示され、転移行列計算を用いて検証される。 印加されたゲート電圧を変化させることで、これらのディラックコーンの傾きパラメータを制御でき、そのギャップをテラヘルツ範囲に落下するように調整することができる。 ゲート可変ギャップ付きディラックコーンの可能性は、インターバンド遷移とデザイナーのランダウレベルスペクトルを介してテラヘルツの応用を生じさせ、どちらもディラックコーン工学によって制御できる。 本論文は,側方グラフェン超格子におけるゲート可変デバイス応用におけるディラック円錐傾斜とギャップ工学の促進を期待する。

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