論文の概要: Ordered InAs quantum dots on pre-patterned GaAs (0 0 1) by local oxidation nanolithography
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2501.10849v1
- Date: Sat, 18 Jan 2025 18:48:12 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-01-22 14:20:41.420905
- Title: Ordered InAs quantum dots on pre-patterned GaAs (0 0 1) by local oxidation nanolithography
- Title（参考訳）: 局所酸化ナノリソグラフィーによる前パターンGaAs(001)上の規則InAs量子ドット
- Authors: J. Martín-Sánchez, Y. González, L. González, M. Tello, R. García, D. Granados, J. M. García, F. Briones,
- Abstract要約: 原子間力顕微鏡(AFM)局所酸化ナノリソグラフィーにより、前パターンのGaAs基板上に秩序付きInAs量子ドット(QD)アレイが得られた。
ナノホールアレイの幾何学的パラメータの関数として、分離されたQDの2次元配列、密充填されたQD、あるいはQD形成のための局所化された領域を得ることができる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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- Abstract: Ordered InAs quantum dot (QD) arrays have been obtained on pre-patterned GaAs (0 0 1) substrates by atomic force microscopy (AFM) local oxidation nanolithography. Prior to InAs molecular beam epitaxy (MBE) deposition, an ordered square array of nanoholes is formed at the GaAs pre-patterned surface following in situ etching with atomic hydrogen. A low substrate temperature is maintained during the whole process in order to avoid pattern smoothing. Our results show that the density and dimensions of the nanoholes on the GaAs surface determine InAs QD size, nucleation site and InAs dose necessary for their formation. As a function of the geometrical parameters of the nanohole array, we can obtain either ordered 2D arrays of separated QD, closely packed QD or localized areas for QD formation.
- Abstract（参考訳）: 原子間力顕微鏡(AFM)局所酸化ナノリソグラフィーにより、前パターンのGaAs(001)基板上に秩序付きInAs量子ドット(QD)アレイが得られた。
InAs分子線エピタキシー(MBE)デポジションの前には、原子水素でその場でエッチングした後、GaAs前パターン面に秩序の正方形のナノホールが形成される。
パターンの平滑化を避けるため、プロセス全体を通して低い基板温度を維持する。
その結果, GaAs表面上のナノホールの密度と寸法は, 生成に必要なInAs QDサイズ, 核生成部位およびInAs線量を決定することがわかった。
ナノホールアレイの幾何学的パラメータの関数として、分離されたQDの2次元配列、密充填されたQD、あるいはQD形成のための局所化された領域を得ることができる。
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