論文の概要: A rhombic spin-1 interpretation of a room-temperature GaN emitter

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2610.39081v1
• Date: Thu, 29 Oct 2026 00:21:25 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-11-03 07:52:25.963339
• Title: A rhombic spin-1 interpretation of a room-temperature GaN emitter
• Title（参考訳）: 室温GaNエミッタのロンボリックスピン-1解釈
• Abstract要約: GaNの単一欠陥は、室温で光学的に検出された磁気共鳴を示す。 rhombic $S=1$モデルは、rmsエラーが8.1-9.8MHzの3行位置を再現する。 分離された$S=1$の代入を直接テストするゼロフィールドスイープを提案する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Single defects in GaN show optically detected magnetic resonance at room temperature. In the more abundant class, a minimal $S=3/2$ model leaves a $g\approx 4$ line unexplained. For one defect, this line lies near the sum of the two outer lines, consistent with transitions among three shared levels. A rhombic $S=1$ model reproduces the three line positions with rms errors of 8.1-9.8 MHz. The tested second-order $S=3/2$ fits containing all three transitions and the published minimal model do not reproduce these positions. A ladder fitted to the strong lines remains viable if the $g\approx 4$ line is a separate transition near the sum of the outer two. An unresolved frequency-window shift prevents the existing data from establishing the $S=1$ assignment uniquely. We propose a zero-field sweep that directly tests the isolated $S=1$ assignment.
• Abstract（参考訳）: GaNの単一欠陥は、室温で光学的に検出された磁気共鳴を示す。 より豊富なクラスでは、最小の$S=3/2$モデルは、説明されていない$g\approx 4$行を残します。 1つの欠陥に対して、この線は2つの外側の線の和の近くにあり、3つの共有レベル間の遷移と一致する。 rhombic $S=1$モデルは、rmsエラーが8.1-9.8MHzの3行位置を再現する。 テストされた2階の$S=3/2$は3つの遷移を全て含んでおり、公開された最小モデルはこれらの位置を再現しない。 強い線に取り付けられたはしごは、$g\approx 4$線が外側2の和に近い別の遷移である場合、引き続き有効である。 未解決の周波数ウィンドウシフトは、既存のデータが$S=1$の代入をユニークに設定することを防ぐ。 分離された$S=1$の代入を直接テストするゼロフィールドスイープを提案する。

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