論文の概要: Study of the transition from resonance to bound states in quantum dots embedded on a nanowire using the $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ method

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.05206v1
• Date: Mon, 11 Jul 2022 21:47:32 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-05 12:05:06.217095
• Title: Study of the transition from resonance to bound states in quantum dots embedded on a nanowire using the $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ method
• Title（参考訳）: $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$法によるナノワイヤ上に埋め込まれた量子ドットにおける共鳴から境界状態への遷移の研究
• Authors: Natalia Giovenale and Omar Osenda}
• Abstract要約: 量子ドットを埋め込んだ半導体ナノワイヤのバンド構造について検討する。 バンド構造はレイリー・リッツ変分法を用いて計算される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We study the band structure of semiconductor nanowires with quantum dots embedded in them. The band structure is calculated using the Rayleigh-Ritz variational method. We consider quantum dots of two different types, one type is defined by electrostatic potentials applied to the nanowire, while the other one is defined by adding materials with band offsets with respect to the band parameters of the nanowire. We are particularly interested in the appearance of discrete energy levels in the gap between the conduction band and the valence band of the nanostructure, and in the dependence of the energy of these levels with the intensity of a magnetic field applied along the wire. It is shown that several scenarios are possible, being of particular interest the possibility of transforming states of the discrete into resonances and vice versa.
• Abstract（参考訳）: 量子ドットを埋め込んだ半導体ナノワイヤのバンド構造について検討する。 バンド構造はレイリー・リッツ変分法を用いて計算される。 2つの異なるタイプの量子ドットを考える。1つのタイプはナノワイヤに印加された静電ポテンシャルによって定義され、もう1つはナノワイヤのバンドパラメータに対してバンドオフセットを持つ材料を追加することで定義される。 導電帯とナノ構造の原子価帯のギャップにおける離散エネルギー準位の出現や、これらの準位のエネルギーと電線に沿って印加される磁場の強度の依存性には特に興味がある。 いくつかのシナリオが可能であることが示されており、特に興味があるのは離散状態の状態を共鳴に変換する可能性であり、その逆である。

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