論文の概要: Wave function propagation in a two-dimensional paramagnetic semiconductor from an impurity

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2311.10853v1
• Date: Fri, 17 Nov 2023 20:24:27 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-11-22 13:59:45.908517
• Title: Wave function propagation in a two-dimensional paramagnetic semiconductor from an impurity
• Title（参考訳）: 不純物からの2次元常磁性半導体の波動関数伝播
• Authors: Josh Wanninger and Gonzalo Ordonez
• Abstract要約: 半BHZモデル(別名QWZモデル)と呼ばれる2次元常磁性半導体のモデルへの修正をシミュレートする。 我々の修正には、格子に接続された単一および複数の不純物や、時間反転ペア間の接続として追加することが含まれる。 シミュレーションにより, 無限QWZモデルのトポロジー状態に付随する散乱挙動が示された。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We simulated modifications to a model of a two-dimensional paramagnetic semiconductor called the half-BHZ model, also known as the QWZ model, and simulated a modified full BHZ model, where a time reversal pair is introduced. Our modifications to the models include adding single and multiple impurities connected to the lattices or as a connection between the time-reversal pairs. We employed the Julia programming language to show how to speed up calculations for time evolutions. By simulating the time evolutions, we could observe the differences in the effects of these modifications. Our simulations showed the presence of scattering behavior associated with the infinite QWZ model topological states. Moreover, we observed scattering and absorption behavior related to the parameters and placements of impurities and Hamiltonian imaginary component's symmetry or anti-symmetry. These tools and early results lay the foundations for developing electronic devices that use the models' unique scattering and absorption behaviors and explore more complex and physically accurate modifications to the models.
• Abstract（参考訳）: 半BHZモデル(QWZモデルとしても知られる)と呼ばれる2次元常磁性半導体モデルへの修正をシミュレートし、時間反転ペアを導入した修正フルBHZモデルをシミュレートした。 モデルの変更には、格子に接続された1つまたは複数の不純物の追加や、時間反転対間の接続が含まれる。 私たちはJuliaプログラミング言語を使って、時間進化の計算を高速化する方法を示しました。 時間変化をシミュレートすることで、これらの修正の効果の違いを観察することができる。 シミュレーションにより,無限qwzモデルトポロジカル状態に伴う散乱挙動の存在が示された。 さらに,不純物およびハミルトンの虚成分の対称性や反対称性のパラメータや配置に関する散乱・吸収挙動も観察した。 これらのツールと初期の成果は、モデルのユニークな散乱と吸収の挙動を使い、より複雑で物理的に正確なモデル修正を探求する電子機器の開発の基礎を築いた。

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