Fugu-MT 論文翻訳(概要): Envelope-function theory of inhomogeneous strain in semiconductor nanostructures

論文の概要: Envelope-function theory of inhomogeneous strain in semiconductor nanostructures

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2312.15967v1
Date: Tue, 26 Dec 2023 09:27:39 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-12-27 15:34:25.686582
Title: Envelope-function theory of inhomogeneous strain in semiconductor nanostructures
Title（参考訳）: 半導体ナノ構造における不均一ひずみのエンベロープ関数理論
Authors: Andrea Secchi and Filippo Troiani
Abstract要約: ストレインは半導体ヘテロ構造においてユビキタスな特徴であり、デバイスの性質を改善するために異なる方法で設計することができる。ここでは、Bir と Pikus の理論を不均一ひずみの場合に一般化する。問題の相対論的効果と計量的側面を完全に説明することにより、完備エンベロープ関数ハミルトニアンを導出する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Strain represents an ubiquitous feature in semiconductor heterostructures, and can be engineered by different means in order to improve the properties of various devices, including advanced MOSFETs and spin-based qubits. However, its treatment within the envelope function framework is well established only for the homogeneous case, thanks to the theory of Bir and Pikus. Here, we generalize such theory to the case of inhomogeneous strain. By fully accounting for the relativistic effects and metric aspects of the problem, we derive a complete envelope-function Hamiltonian, including the terms that depend on first and second spatial derivatives of the strain tensor.
Abstract（参考訳）: ストレインは半導体ヘテロ構造においてユビキタスな特徴であり、高度なMOSFETやスピンベースの量子ビットを含む様々なデバイスの特性を改善するために異なる方法で設計することができる。しかし、封筒関数の枠組みにおけるその処理は、bir と pikus の理論により、均質な場合のみに確立されている。ここでは、そのような理論を不均一ひずみの場合に一般化する。問題の相対論的効果と計量的側面を完全に説明することにより、ひずみテンソルの第1および第2空間微分に依存する項を含む完全なエンベロープ函数ハミルトニアンを導出する。

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