論文の概要: Preliminary characterization of a surface electrode Paul trap for frequency metrology
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2410.06639v1
- Date: Wed, 9 Oct 2024 07:44:30 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-11-01 04:39:35.487437
- Title: Preliminary characterization of a surface electrode Paul trap for frequency metrology
- Title(参考訳): 表面電極ポールトラップの周波数計測への応用
- Authors: Josipa Madunic, Lucas Groult, Bachir Achi, Thomas Lauprêtre, Alan Boudrias, Pierre Roset, Valérie Soumann, Yann Kersalé, Moustafa Abdel Hafiz, Clément Lacroûte,
- Abstract要約: 我々は表面電極(SE)トラップに基づく単一イオン光時計を開発している。
試作SEトラップを用いて加熱速度の測定を行った。
シリコンを用いたマイクロファブリックSEトラップチップを絶縁体技術に導入する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We are developing a single-ion optical clock based on a surface-electrode (SE) trap that we will operate with $^{171}$Yb$^+$ ions on the electric quadrupole transition at 435.5 nm. We present heating rate measurements performed with a prototype SE trap. We also introduce a new, micro-fabricated SE trapping chip using silicon on insulator technology. Electric tests were performed under ultra-high vacuum using a testing chip, including breakdown voltages measurements and flashover detection. We present suitable trapping parameters for this chip, as well as a road-map for improving its design.
- Abstract(参考訳): 我々は435.5nmの電気四極子遷移において、$^{171}$Yb$^+$イオンで動作する表面電極(SE)トラップに基づく単一イオン光クロックを開発している。
試作SEトラップを用いて加熱速度の測定を行った。
また,シリコンを用いたマイクロファブリケートSEトラップチップを絶縁体に導入した。
試験用チップを用いて超高真空下で電気試験を行い、破壊電圧の測定とフラッシュオーバー検出を行った。
本稿では,このチップに適したトラップパラメータと,その設計改善のためのロードマップを提案する。
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