論文の概要: Fermi Velocity Dependent Critical Current in Ballistic Bilayer Graphene Josephson Junctions

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2412.10640v1
• Date: Sat, 14 Dec 2024 01:58:01 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2024-12-17 13:55:07.872896
• Title: Fermi Velocity Dependent Critical Current in Ballistic Bilayer Graphene Josephson Junctions
• Title（参考訳）: 球状二層グラフェンジョセフソン接合におけるフェルミ速度依存性臨界電流
• Authors: Amis Sharma, Chun-Chia Chen, Jordan McCourt, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Francois Amet, Gleb Finkelstein, Ivan Borzenets,
• Abstract要約: 放射化グラフェングラフェンジョセフソン接合(BGJJs)の輸送測定を行う。 各種温度のバイアス電流とゲート電圧の関数として, ディファレンシャル抵抗を測定した。 BGJJのキャリア密度依存性は、グラフェンベースのジョセフソンジャンクションデバイスにおける追加のチューニングパラメータを可能にする。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.2529563359433233
• License:
• Abstract: We perform transport measurements on proximitized, ballistic, bilayer graphene Josephson junctions (BGJJs) in the intermediate-to-long junction regime ($L>\xi$). We measure the device's differential resistance as a function of bias current and gate voltage for a range of different temperatures. The extracted critical current $I_{C}$ follows an exponential trend with temperature: $ \exp(-k_{B} T/ \delta E)$. Here $\delta E = \hbar \nu_F /2\pi L $: an expected trend for intermediate-to-long junctions. From $\delta E$, we determine the Fermi velocity of the bilayer graphene, which is found to increase with gate voltage. Simultaneously, we show the carrier density dependence of $\delta E$, which is attributed to the quadratic dispersion of bilayer graphene. This is in contrast to single layer graphene Josephson junctions, where $\delta E$ and the Fermi velocity are independent of the carrier density. The carrier density dependence in BGJJs allows for additional tuning parameters in graphene-based Josephson Junction devices.
• Abstract（参考訳）: 中間-長接合系(L>\xi$)における酸化グラフェン・ジョセフソン接合(BGJJ)の輸送測定を行った。 各種温度のバイアス電流とゲート電圧の関数として, ディファレンシャル抵抗を測定した。 抽出された臨界電流$I_{C}$は、温度の指数関数的な傾向に従う: $ \exp(-k_{B} T/ \delta E)$。 ここで、$\delta E = \hbar \nu_F /2\pi L $: 中間-長接合の予想される傾向である。 デルタE$から二層グラフェンのフェルミ速度を決定する。 同時に、二層グラフェンの二次分散に起因する$\delta E$のキャリア密度依存性を示す。 これは単層グラフェンのジョセフソン接合とは対照的であり、$\delta E$とフェルミ速度はキャリア密度とは独立である。 BGJJのキャリア密度依存性は、グラフェンベースのジョセフソンジャンクションデバイスにおける追加のチューニングパラメータを可能にする。

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