論文の概要: A note on Hall conductance and Hall conductivity in interacting Fermion systems
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.13581v1
- Date: Mon, 16 Jun 2025 15:03:45 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-06-17 17:28:48.783261
- Title: A note on Hall conductance and Hall conductivity in interacting Fermion systems
- Title(参考訳): 相互作用するフェルミオン系におけるホール伝導率とホール伝導率について
- Authors: Stefan Teufel, Marius Wesle,
- Abstract要約: NEASS法を線形応答に適用してホール導電率の式を導出する方法を示す。
半平面上の化学ポテンシャルの断熱的増加に対する微視的電流応答の線形応答係数として得られることを示す。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
- Abstract: In this note we consider lattice fermions on $\mathbb{Z}^2$ with a gapped ground state and show how to apply the NEASS approach to linear response to derive the formula for the Hall conductance in terms of an expectation of a commutator of modified step functions. This formula is usually derived by a charge pumping argument going back to Laughlin. Here we show that it can also be obtained as the linear response coefficient of the microscopic current response to an adiabatic increase of the chemical potential on a half plane. We discuss the connection with the double commutator formula with modified position operators for the Hall conductivity derived in arXiv:2411.06967 as the linear response coefficient of the macroscopic current response to the adiabatic application of a constant electric field.
- Abstract(参考訳): 本稿では,差分基底状態を持つ$\mathbb{Z}^2$上の格子フェルミオンについて考察し,修正ステップ関数の可換作用素の期待値を用いて,ホールコンダクタンスの公式を導出する線形応答にNAASSアプローチを適用する方法を示す。
この式は通常、ラウリンに戻る電荷ポンプの議論によって導かれる。
ここでは, 半平面上の化学ポテンシャルの断熱的増大に対する微視的電流応答の線形応答係数として得られることを示す。
本稿では, 電界の断熱的適用に対するマクロ電流応答の線形応答係数として, arXiv:2411.06967から導出されるホール導電率の修正された位置演算子との二重可換式との接続について論じる。
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