論文の概要: On the Lifshitz formula of dispersion interaction
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2601.07661v1
- Date: Mon, 12 Jan 2026 15:41:55 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-01-13 19:08:01.523742
- Title: On the Lifshitz formula of dispersion interaction
- Title（参考訳）: 分散相互作用のリフシッツ公式について
- Authors: Michael V. Davidovich,
- Abstract要約: リフシッツの研究において、この公式は一貫した結論なしに与えられることが示されている。
この公式の最も一般的な結論は、Levin と Rytov によって提案された方法、Schwinger の変分法および Van Kampen と共著者によって提案された方法である。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The Lifshitz formula and methods of its preparation in the literature are considered. It is shown that in Lifshitz's work itself, this formula is given without a consistent conclusion. Moreover, the approach to the conclusion proposed in this work does not allow us to obtain it. The most general conclusion of this formula can be the method proposed by Levin and Rytov, the variation method of Schwinger and the method proposed by Van Kampen and co-authors. The Levin and Rytov approach is applicable in principle to bodies of arbitrary shape if the diffraction loss fields for electric and magnetic dipoles are determined, while the Van Kampen approach is applicable to any plane-layered structure and is quite simple. It is enough to write down the dispersion equations of the plasmon-polaritone structure. The specific dispersion force for a number of structures is calculated based on the Van Kampen method. It is shown that at small gaps, the force (pressure) density changes the inverse fourth-degree dependence on the distance and practically ceases to depend on it at distances less than 1 nm. For thin identical plates, this density is proportional to the square of their thickness at such distances, but the dependence quickly becomes saturated and already at thicknesses of the order of 10 nm practically ceases to depend on it.
- Abstract（参考訳）: 文献におけるリフシッツの公式とその製法について考察する。
この式は、リフシッツの業績自体において、一貫した結論なしに与えられることが示されている。
さらに,本研究で提案した結論に対するアプローチでは,得られない。
この公式の最も一般的な結論は、Levin と Rytov によって提案された方法、Schwinger の変分法および Van Kampen と共著者によって提案された方法である。
レヴィンとリトフのアプローチは、電気的および磁気的双極子に対する回折損失場が決定された場合、任意の形状の体に原則として適用されるが、ヴァンカンペンのアプローチは任意の平面構造に適用でき、非常に単純である。
プラズモン-ポラリトン構造の分散方程式を記述するのに十分である。
複数の構造に対する特定の分散力はヴァンカンペン法に基づいて計算される。
小さなギャップにおいて、力(圧力)密度は、距離に対する逆4度依存を変化させ、1nm未満の距離でそれに依存することを事実上停止する。
薄い同一のプレートの場合、この密度はそのような距離における厚さの2乗に比例するが、依存度は急速に飽和し、既に10nmのオーダーの厚さでそれに依存するのをやめている。
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