論文の概要: Single impurity-induced localization transitions in electronic systems
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.01497v1
- Date: Mon, 02 Mar 2026 06:09:36 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-03-03 19:50:56.71068
- Title: Single impurity-induced localization transitions in electronic systems
- Title（参考訳）: 電子系における単一不純物誘起局在化遷移
- Authors: Niaz Ali Khan, Munsif Jan, Muzamil Shah, Muhammad Sajid, Muhammad Mateen, Mushtaq Ali,
- Abstract要約: アンダーソン局在は、乱れた量子系の基本的な現象であり、広いランダム性からの波動干渉によって輸送が抑制される。
低次元強結合系における不純物誘起局所化現象を不純物生成境界状態の性質に着目して検討する。
本研究は, 局所摂動が電子系のグローバルな局在化遷移を示唆することなく, 個々の固有状態レベルで非自明な局在化挙動を誘発することを示すものである。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.1031977553463412
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Anderson localization is a fundamental phenomenon in disordered quantum systems, where transport is suppressed by wave interference from extensive randomness. Moving beyond traditional multi-impurity scenarios, we investigate impurity-induced localization phenomena in low-dimensional tight-binding systems by focusing on the properties of impurity-generated bound states. By introducing a single on-site impurity into an otherwise extended lattice, we demonstrate that the impurity can host a bound state whose spatial character undergoes a transition from extended to localized as the impurity strength surpasses a critical value. This transition pertains solely to the impurity state, while the bulk states of the host system remain extended. We characterize the localization behavior by analyzing two distinct spatial profiles of the bound states: one with symmetric decay and another with exponential decay from the impurity site. Our results highlight how a local perturbation can induce nontrivial localization behavior at the level of individual eigenstates, without implying a global localization transition of the underlying electronic system.
- Abstract（参考訳）: アンダーソン局在は、乱れた量子系の基本的な現象であり、広いランダム性からの波動干渉によって輸送が抑制される。
従来の多重不純物シナリオを超えて、不純物生成境界状態の性質に着目して、低次元強結合系における不純物誘起局在化現象を研究する。
不純物が拡張された格子に1つのオンサイト不純物を導入することにより、不純物強度が臨界値を超えるにつれて、空間的特徴が拡張から局所化される境界状態をホストできることを実証する。
この遷移は不純物状態のみに関係するが、ホスト系のバルク状態はなお拡張されている。
我々は, 境界状態の2つの異なる空間分布を解析することにより, 局在化挙動を特徴づける。
本研究は, 局所摂動が電子系のグローバルな局在化遷移を示唆することなく, 個々の固有状態レベルで非自明な局在化挙動を誘発することを示すものである。
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