論文の概要: A Degenerate Singlet-Triplet Qubit with All-Electrical Orthogonal Control
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2607.27067v1
- Date: Wed, 29 Jul 2026 15:54:51 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-07-30 21:06:25.732604
- Title: A Degenerate Singlet-Triplet Qubit with All-Electrical Orthogonal Control
- Title(参考訳): 全電気直交制御による退化シングルトリップレット量子ビット
- Abstract要約: シングルトリップキュービットは半導体量子コンピューティングの魅力的なエンコーディングを提供する。
ゼーマンエネルギー差$E_mathrmZ$は通常、局所磁場または$g$-要素不均一性によって固定される。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: Singlet-triplet qubits offer an attractive encoding for semiconductor quantum computing, combining ancilla-free readout, reduced sensitivity to common-mode noise, and baseband voltage control. However, the Zeeman energy difference $ΔE_\mathrm{Z}$ is typically fixed by local magnetic field gradients or $g$-factor inhomogeneities, leaving the exchange interaction $J$ as the only dynamically tunable parameter. This always-on $ΔE_\mathrm{Z}$ precludes orthogonal control of the qubit's rotation axes and introduces unwanted state rotations during idling. Here we demonstrate all-electrical orthogonal control of a degenerate singlet-triplet (DST) qubit formed by two hole spins in a germanium double quantum dot. Exploiting the electrically tunable anisotropic $g$-factors of the two spins, we identify a regime where both $ΔE_\mathrm{Z}$ and $J$ vanish, making the $S$ and $T_0$ states degenerate at the idle point. By applying only baseband voltage pulses, we independently control both $J$ and $ΔE_\mathrm{Z}$, enabling fully orthogonal $Z$- and $X$-axis rotations. Randomized benchmarking yields an average physical single-qubit gate fidelity of 99.53\% for a gate duration of approximately 100 ns. Finally, we electrically tune the degenerate point across a wide range of magnetic field orientations, enabling operation in a regime of enhanced coherence time and offering a route towards multi-qubit scaling under a shared global magnetic field.
- Abstract(参考訳): シングルトリップキュービットは、アンシラのない読み出し、コモンモードノイズに対する感度の低下、ベースバンド電圧制御を組み合わせた、半導体量子コンピューティングの魅力的な符号化を提供する。
しかし、ゼーマンエネルギー差$ΔE_\mathrm{Z}$は通常、局所磁場勾配または$g$-因子の不均一性によって固定され、交換相互作用$J$は唯一の動的調整可能なパラメータとして残される。
この常にオンの$ΔE_\mathrm{Z}$は、キュービットの回転軸の直交制御を妨げ、アイドリング中に不要な状態回転を導入する。
ここでは、ゲルマニウム二重量子ドット内の2つの孔スピンで形成された縮退一重項(DST)量子ビットの全電気的直交制御を示す。
2つのスピンの電気的に調整可能な異方性$g$-factorを出力し、$ΔE_\mathrm{Z}$と$J$の両方が消滅する状態を特定し、アイドル点において$S$と$T_0$状態が縮退する。
ベースバンド電圧パルスのみを適用することにより、$J$と$ΔE_\mathrm{Z}$の両方を独立に制御し、完全直交の$Z$と$X$軸回転を可能にする。
ランダム化されたベンチマークにより、平均的な物理シングルキュービットゲート忠実度は、約100 nsのゲート持続時間において99.53\%となる。
最後に、幅広い磁場配向の退化点を電気的に調整し、コヒーレンス時間の向上を図り、共有大域磁場下でのマルチキュービットスケーリングへの経路を提供する。
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