論文の概要: Transition between anomalous and Anderson localization in systems with
non-diagonal disorder driven by time-periodic fields
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2003.06372v1
- Date: Fri, 13 Mar 2020 16:33:20 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-29 06:13:29.624141
- Title: Transition between anomalous and Anderson localization in systems with
non-diagonal disorder driven by time-periodic fields
- Title（参考訳）: 非対角性障害における時間-周期場による異常とアンダーソン局在の推移
- Authors: Rafael A. Molina and Victor A. Gopar
- Abstract要約: 電子は標準指数的なアンダーソン局在よりも空間における局在が小さい。
量子ワイヤの導電率のスケーリングと分布における時間周期外界の影響について検討する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: In models of hopping disorder in the absence of external fields and at the
band center, the electrons are less localized in space than the standard
exponential Anderson localization. A signature of this anomalous localization
is the square root dependence of the logarithmic average of the conductance on
the system length, in contrast to the linear length dependence for Anderson
localized systems. We study the effect of a time-periodic external field in the
scaling and distribution of the conductance of a quantum wire with hopping
disorder. In the low-frequency regime, we show a transition between anomalous
localization and Anderson localization as a function of the parameters of the
external field. The Floquet modes mix different energy contributions and
standard length dependence of the logarithmic average of the conductance is
gradually recovered as we lower the frequency or increase the amplitude of the
external field. In the high-frequency regime, the system presents still
anomalous localization but the conductance is also renormalized, depending on
the parameters of the external field, by interference effects at the coupling
to the leads. This allows for a high degree of control of the average of the
conductance.
- Abstract（参考訳）: 外界やバンド中心が存在しないホッピング障害のモデルでは、電子は標準指数的なアンダーソン局在よりも空間内での局在が小さい。
この異常局在のサインは、アンダーソン局所化された系の線形長依存性とは対照的に、コンダクタンスの対数平均の正方根依存性である。
ホッピング障害を伴う量子ワイヤの導電率のスケーリングと分布における時間周期外界の影響について検討する。
低周波系では、外部場のパラメータの関数として異常な局在化とアンダーソン局在化の遷移を示す。
フロケモードは異なるエネルギー寄与とコンダクタンスの対数平均の標準長依存性を混合し、周波数を下げたり、外部磁場の振幅を上昇させたりすることで徐々に回復する。
高周波系では、系はいまだ異常な局所化を示すが、導電性は、鉛とのカップリングにおける干渉効果によって外部磁場のパラメータによっても再正規化される。
これにより、コンダクタンスの平均値の高い制御が可能となる。
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