論文の概要: Tight-Binding Reduction and Topological Equivalence in Strong Magnetic
Fields
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2010.12097v3
- Date: Thu, 27 Jan 2022 12:26:41 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-28 00:49:07.238232
- Title: Tight-Binding Reduction and Topological Equivalence in Strong Magnetic
Fields
- Title(参考訳): 強磁場におけるタイト結合還元と位相同値
- Authors: Jacob Shapiro and Michael I. Weinstein
- Abstract要約: トポロジカル絶縁体 (TI) はバルク状に絶縁されているが、境界や縁を導入すると、その境界に沿って自発的な電流を示す可能性がある。
垂直磁場の影響を受けながら2次元結晶中の電子運動を管理する連続体ハミルトニアンのクラスである$Hlambda$を研究する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Topological insulators (TIs) are a class of materials which are insulating in
their bulk form yet, upon introduction of an a boundary or edge, e.g. by
abruptly terminating the material, may exhibit spontaneous current along their
boundary. This property is quantified by topological indices associated with
either the bulk or the edge system. In the field of condensed matter physics,
tight binding (discrete) approximate models, parametrized by hopping
coefficients, have been used successfully to capture the topological behavior
of TIs in many settings. However, whether such tight binding models capture the
same topological features as the underlying continuum models of quantum physics
has been an open question.
We resolve this question in the context of the archetypal example of
topological behavior in materials, the integer quantum Hall effect. We study a
class of continuum Hamiltonians, $H^\lambda$, which govern electron motion in a
two-dimensional crystal under the influence of a perpendicular magnetic field.
No assumption is made on translation invariance of the crystal. We prove, in
the regime where both the magnetic field strength and depth of the crystal
potential are sufficiently large, $\lambda\gg1$, that the low-lying energy
spectrum and eigenstates (and corresponding large time dynamics) of $H^\lambda$
are well-described by a scale-free discrete Hamiltonian, $H^{\rm TB}$; we show
norm resolvent convergence. The relevant topological index is the Hall
conductivity, which is expressible as a Fredholm index. We prove that for large
$\lambda$ the topological indices of $H^\lambda$ and $H^{\rm TB}$ agree. This
is proved separately for bulk and edge geometries. Our results justify the
principle of using discrete models in the study of topological matter.
- Abstract(参考訳): 位相絶縁体(英:topological insulators、tis)は、バルク状に絶縁されている物質の一種であるが、a境界またはエッジ(例えば、突然その物質を終了させること)を導入すると、その境界に沿って自発的な電流を示すことがある。
この性質はバルクまたはエッジシステムに関連する位相指標によって定量化される。
凝縮物質物理学の分野では、ホッピング係数によってパラメータ化された密結合(離散)近似モデルが、多くの環境でTIのトポロジカルな挙動を捉えるのに成功している。
しかし、そのような密結合モデルが量子物理学の根底にある連続体モデルと同じ位相的特徴を捉えるかどうかは未解決の問題である。
この問題を、材料におけるトポロジカルな振る舞いの典型的な例である整数量子ホール効果の文脈で解く。
垂直磁場の影響下で二次元結晶の電子運動を制御する連続体ハミルトニアンのクラスである $h^\lambda$ について検討した。
結晶の翻訳不変性については仮定されていない。
我々は、結晶ポテンシャルの磁場強度と深さが十分に大きい状態において、$\lambda\gg1$、$H^\lambda$の低線エネルギースペクトルと固有状態(および対応する大時ダイナミクス)が、スケールのない離散ハミルトニアン$H^{\rm TB}$によってうまく記述されていることを証明している。
関連するトポロジカル指数はホール伝導率であり、フレドホルム指数として表される。
大きな$\lambda$ に対して、$h^\lambda$ と $h^{\rm tb}$ の位相指標が一致することを証明します。
これはバルクとエッジで別々に証明されている。
この結果は, 離散モデルを用いたトポロジカル物質研究の原理を正当化するものである。
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