Fugu-MT 論文翻訳(概要): Simple and accurate method to simulate resistors and wires in a nanoscale circuit

論文の概要: Simple and accurate method to simulate resistors and wires in a nanoscale circuit

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2005.14614v1
Date: Sat, 9 May 2020 20:44:44 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-20 18:03:41.918348
Title: Simple and accurate method to simulate resistors and wires in a nanoscale circuit
Title（参考訳）: ナノスケール回路における抵抗・配線シミュレーションの簡易・高精度化
Authors: Mark J. Hagmann and Logan D. Gibb
Abstract要約: 波動関数はポテンシャルを示す線に対応する線を通してコヒーレントに伝播する。電位源は電位のジャンプとしてモデル化することができる。この抵抗は、算出された電流密度と有効断面積の積によって、この電圧降下を分割して決定することができる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: In solving the Schr\"odinger equation to simulate a nanoscale circuit, we note that the mean free path for electrons in some metals is as large as 48 nm. Thus, the wavefunction may propagate coherently through wires corresponding to the lines that show the potential outside of the tunneling junction. A voltage source may be modeled as a jump in the potential. Similarly, the potential across a resistor may be modeled as a sharp drop or a downward sloping line to show a decrease in the potential. Then the resistance may be determined by dividing this voltage drop by the product of the calculated current density and the effective cross-sectional area.
Abstract（参考訳）: ナノスケール回路をシミュレートするためのschr\"odinger方程式の解法では、いくつかの金属中の電子の平均自由経路は48nmである。したがって、波動関数はトンネル接合の外側の電位を示す線に対応する線を介してコヒーレントに伝播することができる。電圧源は電位のジャンプとしてモデル化することができる。同様に、抵抗器を横断する電位は、電位の低下を示すために鋭い滴や下向きの傾斜線としてモデル化することができる。そして、算出された電流密度と有効断面積の積によって、この電圧降下を分割して抵抗を決定することができる。

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