論文の概要: Geometric scattering in the presence of line defects

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2012.06395v1
• Date: Fri, 11 Dec 2020 14:51:07 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-21 03:15:12.203735
• Title: Geometric scattering in the presence of line defects
• Title（参考訳）: 線欠陥の存在下での幾何学的散乱
• Authors: Hai Viet Bui, Ali Mostafazadeh, and Sema Seymen
• Abstract要約: 直線欠陥の存在はガウスバンプによる幾何散乱を増幅することを示す。 この増幅効果は、2本のライン欠陥の間にバンプの中心を置くと特に強い。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: A non-relativistic scalar particle moving on a curved surface undergoes a geometric scattering whose behavior is sensitive to the theoretically ambiguous values of the intrinsic and extrinsic curvature coefficients entering the expression for the quantum Hamiltonian operator. This suggests using the scattering data to settle the ambiguity in the definition of the Hamiltonian. It has recently been shown that the inclusion of point defects on the surface enhances the geometric scattering effects. We perform a detailed study of the geometric scattering phenomenon in the presence of line defects for the case that the particle is confined to move on a Gaussian bump and the defect(s) are modeled by delta-function potentials supported on a line or a set of parallel lines normal to the scattering axis. In contrast to a surface having point defects, the scattering phenomenon associated with this system is generically geometric in nature in the sense that for a flat surface the scattering amplitude vanishes for all scattering angles $\theta$ except $\theta=\theta_0$ and $\pi-\theta_0$, where $\theta_0$ is the angle of incidence. We show that the presence of the line defects amplifies the geometric scattering due to the Gaussian bump. This amplification effect is particularly strong when the center of the bump is placed between two line defects.
• Abstract（参考訳）: 曲面上を移動する非相対論的スカラー粒子は、量子ハミルトニアン作用素の式に入る内在的および外在的曲率係数の理論的に曖昧な値に敏感な振る舞いを持つ幾何散乱を受ける。 これは散乱データを用いてハミルトンの定義の曖昧さを解決することを示唆している。 近年,表面への点欠陥の包含は幾何学的散乱効果を高めることが示されている。 粒子がガウスバンプ上を移動するために閉じ込められ、欠陥が線または散乱軸に垂直な平行線の集合に支持されるデルタ関数ポテンシャルによってモデル化される場合の線欠陥の存在下での幾何学的散乱現象の詳細な研究を行う。 点欠陥を持つ面とは対照的に、この系に関連する散乱現象は、平坦な面に対して散乱振幅がすべての散乱角に対して、$\theta_0$ と $\pi-\theta_0$ を除いて、$\theta_0$ が入射角であるという意味で、自然に幾何学的である。 線欠陥の存在はガウスのバンプによる幾何学的散乱を増幅することを示した。 この増幅効果は、2本のライン欠陥の間にバンプの中心を置くと特に強い。

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