論文の概要: Comment on: "Threading dislocation densities in semiconductor crystals:
A geometric approach". Phys. Lett. A 376 (2012) 2838-2841
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.08102v2
- Date: Wed, 21 Apr 2021 12:47:41 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-03 11:07:06.847697
- Title: Comment on: "Threading dislocation densities in semiconductor crystals:
A geometric approach". Phys. Lett. A 376 (2012) 2838-2841
- Title（参考訳）: 半導体結晶におけるスレッディング転位密度:幾何学的アプローチ」へのコメント。
Phys
Lett!
A 376 (2012) 2838-2841
- Authors: Francisco M. Fern\'andez
- Abstract要約: モデルパラメータの任意の選択した集合に対して、モデルがバウンドステートをサポートしないことを示す。
著者らが提案したトラニケート条件は、選択されたモデルパラメータの与えられた値に対して1つの特定のエネルギーしか得られない。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We analyze the solution of the Schr\"odinger equation arising in the
treatment of a geometric model introduced to explain the origin of the observed
shallow levels in semiconductors threaded by a dislocation density. We show
(contrary to what the authors claimed) that the model does not support bound
states for any chosen set of model parameters. Assuming a fictitious motion in
the $x-y$ plane there are bound states provided that $k\neq 0$ and not only for
$k>0$ as the authors believed. The truncation condition proposed by the authors
yields only one particular energy for a given value of a chosen model parameter
and misses all the others (conditionally solvable problem)
- Abstract（参考訳）: 転位密度でスレッディングされた半導体における観測された浅層レベルの起源を説明するために導入された幾何モデルの処理で生じるシュリンガー方程式の解を解析する。
我々は(著者の主張と矛盾する)モデルが選択されたモデルパラメータの束縛状態をサポートしていないことを示す。
x-y$ 平面上の虚運動を仮定すると、$k\neq 0$ であり、著者が信じているような$k>0$ だけでなく、有界な状態が存在する。
著者らが提案した切断条件は、選択されたモデルパラメータの与えられた値に対して1つの特定のエネルギーしか得られず、他のすべてのエネルギーを逃す(条件付き可解問題)。
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