論文の概要: Quantum entropies of realistic states of a topological insulator

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2308.01799v1
• Date: Thu, 3 Aug 2023 14:58:00 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-08-04 13:49:30.227424
• Title: Quantum entropies of realistic states of a topological insulator
• Title（参考訳）: 位相絶縁体の現実状態の量子エントロピー
• Authors: Nicol\'as Legnazzi and Omar Osenda
• Abstract要約: 還元密度行列に基づく新しいエントロピーとともに,これらの状態に対してKitaev と Preskill が提案するトポロジ的エントロピーを計算する。 以上の結果から,位相エントロピーは位相状態を特徴付けるパラメータから一定の独立性を持つことが明らかとなった。 両エントロピーに関連する還元密度行列が正の写像を用いて純粋状態から構成され、クラウス作用素が明示的に得られることを示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Nanowires of BiSe show topological states localized near the surface of the material. The topological nature of these states can be analyzed using well-known quantities. In this paper, we calculate the topological entropy suggested by Kitaev and Preskill for these states together with a new entropy based on a reduced density matrix that we propose as a measure to distinguish topological one-electron states. Our results show that the topological entropy is a constant independent of the parameters that characterize a topological state as its angular momentum, longitudinal wave vector, and radius of the nanowire. The new entropy is always larger for topological states than for normal ones, allowing the identification of the topological ones. We show how the reduced density matrices associated with both entropies are constructed from the pure state using positive maps and explicitly obtaining the Krauss operators.
• Abstract（参考訳）: ビセのナノワイヤは、材料の表面付近に局在したトポロジカル状態を示す。 これらの状態の位相的性質はよく知られた量を用いて分析することができる。 本論文では,これらの状態に対して,北エブとプレスキルが提案するトポロジ的エントロピーと,トポロジ的一電子状態の識別のための指標として提案する還元密度行列に基づく新しいエントロピーを算出する。 以上の結果から, トポロジカルエントロピーは, トポロジカル状態を角運動量, 長手波ベクトル, およびナノワイヤの半径として特徴付けるパラメータとは一定の独立性を示した。 新しいエントロピーは常に通常のエントロピーよりも位相状態の方が大きく、位相状態の同定を可能にする。 両エントロピーに関連する還元密度行列が正の写像を用いて純粋状態から構成され、クラウス作用素が明示的に得られることを示す。

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