論文の概要: Analytical solutions for five examples of shunted tunneling junctions showing promise for terahertz applications

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2404.13415v1
• Date: Sat, 20 Apr 2024 16:02:46 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-04-23 19:10:11.615117
• Title: Analytical solutions for five examples of shunted tunneling junctions showing promise for terahertz applications
• Title（参考訳）: テラヘルツ応用への期待を示すトンネル接合の5例の解析解
• Authors: Mark J Hagmann,
• Abstract要約: 電子と正方形、三角形、あるいはデルタ関数からなる遠心模型との相互作用について検討する。 シャントは、数nmの平均自由経路上で準コヒーレントな電子輸送をもたらす特定の金属のフィラメントである可能性がある。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We used analytical methods to study the interaction of electrons with shunted models consisting of a rectangular, triangular, or delta function. potential barrier in series with a pre-barrier region at zero potential. In each model the shunted boundary conditions cause the matrix equation to have only zeros in the right-hand column vector. Thus, the determinant for each matrix must be zero for a non-trivial solution. The determinant for each model contains only the parameters (e.g. the length of the shunt, the length and height of the barrier, and the electron energy). Thus, the complete set of solutions for each model is obtained by using algebra to determine all of the points in the parameter space, and then to calculate the coefficients for each model. Any path from one point to another in the parameter space corresponds to a possible history for the operation of the model. In prototypes the shunts could be filaments of certain metals that provide quasi-coherent electron transport over mean-free paths of tens of nm. Quasi-static simulations of the time-independent Schrodinger equation suggest that a device with a size of 100 nm could operate at frequencies up to 1,000 THz.
• Abstract（参考訳）: 解析手法を用いて、矩形、三角形、あるいはデルタ関数からなる歪んだモデルと電子の相互作用を研究した。 ゼロ電位における前バリア領域との直列の電位障壁。 それぞれのモデルにおいて、曲がりくねった境界条件は、行列方程式が右列ベクトルの零点しか持たない原因となる。 したがって、行列の行列式は非自明な解に対して 0 でなければならない。 各モデルの行列式はパラメータのみを含む(例えば、シャントの長さ、障壁の長さと高さ、電子エネルギー)。 したがって、各モデルの解の完全な集合は、代数学を用いてパラメータ空間のすべての点を決定し、各モデルの係数を計算することによって得られる。 パラメータ空間におけるある点から別の点への経路は、モデルの操作の可能な履歴に対応する。 プロトタイプでは、シャントは数nmの平均自由経路上で準コヒーレントな電子輸送を提供する特定の金属のフィラメントである可能性がある。 時間に依存しないシュロディンガー方程式の準静電シミュレーションは、100nmのデバイスが最大1000Hzの周波数で動作できることを示唆している。

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