論文の概要: Circuit realisation of a two-orbital non-Hermitian tight-binding chain
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2311.15014v2
- Date: Fri, 8 Mar 2024 02:09:15 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-03-11 23:05:08.482748
- Title: Circuit realisation of a two-orbital non-Hermitian tight-binding chain
- Title(参考訳): 2軌道非エルミート結合鎖の回路実現
- Authors: Dipendu Halder, Ronny Thomale, Saurabh Basu
- Abstract要約: 単位セル当たりの2つの軌道とその電気回路アナログからなる非エルミタン(NH)強結合系について検討した。
非相互に近接する近接結合とオンサイトゲイン/ロス項によって特徴付けられるPT対称および非PT対称のケースを区別する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We examine a non-Hermitian (NH) tight-binding system comprising of two
orbitals per unit cell and their electrical circuit analogues. We distinguish
the PT-symmetric and non-PT symmetric cases characterised by non-reciprocal
nearest neighbour couplings and onsite gain/loss terms, respectively. The
localisation of the edge modes or the emergence of the topological properties
are determined via the maximum inverse participation ratio, which has distinct
dependencies on the parameters that define the Hamiltonian. None of the above
scenarios exhibits the non-Hermitian skin effect. We investigate the boundary
modes corresponding to the topological phases in a suitably designed electrical
circuit by analyzing the two-port impedance and retrieve the admittance band
structure of the circuit via imposing periodic boundary conditions. The
obtained results are benchmarked against the Hermitian version of the
two-orbital model to compare and discriminate against those obtained for the NH
variants.
- Abstract(参考訳): 単位セル当たり2つの軌道と電気回路アナログからなる非ヘルミタン(nh)タイト結合系について検討した。
非相反的近傍結合とオンサイトゲイン/ロス項によって特徴づけられるpt対称と非pt対称のケースを区別する。
エッジモードの局所化や位相的性質の出現は、ハミルトニアンを定義するパラメータに異なる依存性を持つ最大逆参加比によって決定される。
上記のシナリオはいずれも非エルミート皮膚効果を示すものではない。
2ポートインピーダンスを解析し、周期的境界条件を課すことで回路のアプタンスバンド構造を復元することにより、適切な設計の電気回路における位相位相に対応する境界モードについて検討する。
得られた結果は、2軌道モデルのエルミートバージョンに対してベンチマークされ、NH変種と比較および識別される。
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