論文の概要: Chiral anomaly and internode scatterings in multifold semimetals
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.18434v1
- Date: Wed, 27 Nov 2024 15:17:26 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-11-28 15:25:08.318026
- Title: Chiral anomaly and internode scatterings in multifold semimetals
- Title(参考訳): 多次元半金属におけるキラル異常とノード間散乱
- Authors: Ipsita Mandal,
- Abstract要約: ブリルアンゾーン (BZ) では、ベリー曲率場の単極電荷の符号をノードのキラリティ (chirality) と呼ぶ。
ここでは,マルチフォールドノードを持つ場合のカイラル伝導率の一般形を導出する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
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- Abstract: In our quest to unravel the topological properties of nodal points in three-dimensional semimetals, one hallmark property which warrants our attention is the chiral anomaly. In the Brillouin zone (BZ), the sign of the Berry-curvature field's monopole charge is referred to as the chirality ($\chi$) of the node, leading to the notion of chiral quasiparticles sourcing chiral currents, induced by internode scatterings proportional to the chiral anomaly. Here, we derive the generic form of the chiral conductivity when we have multifold nodes. Since the sum of all the monopole charges in the BZ are constrained to vanish, the nodes appear in pairs of $\chi =\pm 1$. Hence, the presence of band-crossing degeneracies of order higher than two make it possible to have two distinct scenarios -- the pair of conjugate nodes in question comprise bands of the same pseudospin variety or of two distinct pseudospin-representations. Covering these two possibilities, we apply our derived formula to semimetals harbouring triple-point (threefold-degenerate) and Rarita-Schwinger-Weyl (fourfold-degenerate) nodes, and show the resulting expressions for the conductivity featuring the chiral anomaly.
- Abstract(参考訳): 3次元半金属中の結節点の位相的性質を明らかにするために、我々の注意を喚起する1つのホールマーク特性は、カイラル異常である。
ブリルアンゾーン (BZ) では、ベリー曲率場の単極電荷の符号はノードのキラル性(英語版) (\chi$) と呼ばれ、キラル電流を誘導するキラル準粒子の概念が、キラル異常に比例したノード間散乱によって引き起こされる。
ここでは,マルチフォールドノードを持つ場合のカイラル伝導率の一般形を導出する。
BZ のすべての単極電荷の和は消滅することを制約されているので、ノードは $\chi =\pm 1$ のペアに現れる。
したがって、2つ以上の順序のバンド交差縮退の存在は、2つの異なるシナリオを持つことが可能である: 問題の共役ノードのペアは、同じ擬スピン多様体のバンドまたは2つの異なる擬スピン表現からなる。
これら2つの可能性をカバーするために,3点(3倍縮退)とRarita-Schwinger-Weyl(4倍縮退)のノードをハーボリングするセミメタルに適用し,キラル異常を特徴とする導電率の式を示す。
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