論文の概要: Geometric dependence of critical-current variation in Al/AlO${\rm _x}$/Al Josephson junctions: a model-based analysis

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.30768v1
• Date: Fri, 29 May 2026 02:53:58 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-06-01 20:56:50.350616
• Title: Geometric dependence of critical-current variation in Al/AlO${\rm _x}$/Al Josephson junctions: a model-based analysis
• Title（参考訳）: Al/AlO${\rm _x}$/Al Josephson接合における臨界電流変動の幾何学的依存性--モデルに基づく解析
• Abstract要約: 我々はAl/AlO$rm _x$/Al接合の臨界電流の変動を統計的に解析した。 その結果,ドーラン橋二重角堆積では,30度の堆積角が均一性を向上させることがわかった。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Achieving uniform critical current across Josephson junctions is essential for the large-scale integration of superconducting quantum circuits. In this work, we statistically analyzed the variation of the critical current of Al/AlO${\rm _x}$/Al junctions using room-temperature tunnel resistance statistics, and identified the dominant contribution among the modeled sources of the variation based on their dependence on geometry and deposition conditions of junctions. Our model-based analysis reveals that fluctuations in the Al film thickness play the dominant role among the modeled contributing factors. Based on this analysis, we found that, in Dolan-bridge double-angle deposition, adopting a deposition angle of 30-degree for bilayer junctions significantly improves uniformity, yielding a relative standard deviation of 1.2% (0.5%) across a 9.75 mm (1.5 mm) square region.
• Abstract（参考訳）: ジョセフソン接合の均一な臨界電流を得ることは、超伝導量子回路の大規模な統合に不可欠である。 本研究では, 室温トンネル抵抗法によるAl/AlO${\rm _x}$/Al接合の臨界電流の変動を統計的に解析し, 接合の幾何および沈着条件への依存性に基づいて, 変動のモデル化源間の支配的寄与を同定した。 モデルベース分析の結果,Al膜厚の変動が寄与要因のモデル化において重要な役割を担っていることが明らかとなった。 この分析から, ドーラン橋二重角堆積では, 両層接合部の30度の堆積角が著しく向上し, 9.75 mm (1.5 mm) の正方形領域における相対標準偏差が1.2% (0.5%) となることがわかった。

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