論文の概要: Robust non-integer conductance in disordered 2D Dirac semimetals
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2110.09177v2
- Date: Tue, 10 May 2022 11:01:45 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-11 04:29:30.780437
- Title: Robust non-integer conductance in disordered 2D Dirac semimetals
- Title（参考訳）: 2次元ディラック半金属のロバスト非整数伝導
- Authors: Ilias Amanatidis, Ioannis Kleftogiannis
- Abstract要約: 本研究では2次元ディラック半金属ナノワイヤのコンダクタンス$G$を障害発生時に検討する。
単位セル数によって決定されるナノワイヤ長$L$の場合、$G$の非整数値は$L$とは独立であり、弱い障害で持続する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We study the conductance $G$ of 2D Dirac semimetal nanowires at the presence
of disorder. For an even nanowire length $L$ determined by the number of unit
cells, we find non-integer values for $G$ that are independent of $L$ and
persist with weak disorder, indicated by the vanishing fluctuations of $G$. The
effect is created by a combination of the scattering effects at the
contacts(interface) between the leads and the nanowire, an energy gap present
in the nanowire for even $L$ and the topological properties of the 2D Dirac
semimetals. Unlike conventional materials the reduced $G$ due to the scattering
at the interface, is stabilized at non-integer values inside the nanowire,
leading to a topological phase for weak disorder. For strong disorder the
system leaves the topological phase and the fluctuations of $G$ are increased
as the system undergoes a transition/crossover toward the Anderson
localized(insulating) phase, via a non-standard disordered phase. We study the
scaling and the statistics of $G$ at these phases. In addition we have found
that the effect of robust non-integer $G$ disappears for odd $L$, which results
in integer $G$, determined by the number of open channels in the nanowire, due
to resonant scattering.
- Abstract（参考訳）: 本研究では2次元ディラック半金属ナノワイヤのコンダクタンス$G$を障害発生時に検討する。
単位セル数によって決定されるナノワイヤの長さ$l$ に対して、非整数値である$g$ は $l$ から独立し、弱い障害で持続する。
この効果は、鉛とナノワイヤの接触(界面)における散乱効果と、ナノワイヤ内のエネルギーギャップが1L$でも存在し、2Dディラック半金属のトポロジカル特性との組み合わせによって生じる。
従来の材料とは異なり、界面の散乱によるG$の低減はナノワイヤ内の非整数値で安定化され、弱い乱れの位相相となる。
強い障害に対しては、システムは位相相を残し、非標準乱相を介してアンダーソン局在化(絶縁)相へ遷移/交差するにつれて、$G$の変動が増加する。
これらの相におけるG$のスケーリングと統計について検討する。
さらに、ロバストな非整数$G$の効果が奇数$L$で消失し、その結果、ナノワイヤ内の開チャネルの数によって決定される整数$G$が共鳴散乱によって決定されることがわかった。
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